Кислый раствор для химического никелирования Советский патент 1985 года по МПК C23C18/36 

00

о 4

Изобретение относится к нанесе- нию металлических покрытий, в частности никелевых, на диэлектрики химическим восстановлением из растворов и может быть использовано при осаждении контактных слоев никеля на полупроводниковые структуры, при изготовлении полупроводниковых приборов,

Цель изобретения - повышение адгезии никелевого слоя к кремнию и снижение переходного электрического сопротивления на границе металл полупроводник,

Составы опробованных растворов, представленных в таблице, приготовляют последовательным растворением компонентов при перемешивании в подогретой до 50 - 55°С депонизованной воде, взятой в количестве 75%

от номинального объема. После растворения компонентов объем раствора доводят до заданного и необходимое значение рН устанавливают с помощью щелочи и янтарной кислоты.

Проводят никелирование кремниевых структур, в качестве которых выбирают силовые диоды В-7-320 с диаметром пластины 30 мм. Время никелирования составляет 4,5-5,0 мин. Толщина никелевого покрытия, определенная с помощью высокочастотного индуктивного измерителя типа БИТИ-ЗП, составляет при этом 2,0 - 2,6 мкм,

а средняя скорость осаждения 0,46 0,52 мкм/мин.

Составы использованных растворов и полученные характеристики покрытий приведены в таблице.

КИСЛЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО Щ КЕЛИРОВАНШ1, содержащий хло„рид ,|гикеля, гипофосфит натрия, ян, .,.. fupHo-кислый натрий и глицин, о тличающийся тем, что, с целью повьппения адгезии никелевого слоя к кремнию и снижения переходного электрического сопротивления на границе металл - полупроводник, он содержит дополнительно хлорид или сульфат марганца при следующем соотношении компонентов, г/л: Хлорид никеля 25-35 Гипофосфит натрия 10-20 Янтарно-кислый натрий . 20-30 Глицин12-15 Хлорид или сульфат марганца (в пересчете на марганец) 0,03-0,15