Способ высокотемпературного нагрева изделий Советский патент 1985 года по МПК G01N3/60 

1нагр- 1ра5. f-

Фмг.1 XI 1 l4ri6i) о т нос: и т ся к ислытаrejibfioii я может быть нспс)ль чоппи: ...;и1 пысокоте-птературного иагрепа ичдоли. нзоО)етеиия - увеличение Ттгеис.чзиог.ттг нагрева при термоцнк;i -tpo ian iM, На |Ьиг. 1 изображена схема уст ро( Д.-1Я 1(;,.ии предлагаем(1го (i(oco(ia, ii;i ibiM. 2 - записимос Til ;e tлcpaгyrlы ,с.Л,; от времени нагрева по imпестпог-г/ и предлагаемому cnfico .-iM (крипыс 1 н 1 1 COOTРеТСТПа 10 . Ус7ро|к-т:к содсржпт гермвтИчную 1 , )Н icoTO-poft установлен rcxhj. к:й irui.iitK 2 для к зепле : i. . M-ia-iMiH 3, Пер(д те no::nr-i: : / ;i: ; :;Mi:.,itj 2 иа расстояrniij,,, , ;:. pa;, f cpjiiyiorieM длину рабо 4cii г, 1C niOiirxo/uiT разогрев надс.Птл 3, усга ов,1епы нагреватели HMIO. Сп;ь е г. )),.- 1П1фракраст Ых нчдучат. гой, 1,)(атрли 4 и техноjiorttiC::Ч ; столмк 2 заключены и коKyco(fi;ia j;i..U -ibivui . К ре(|)лекто)у 6, у(:таиг ВЛ1 ;иом , нагрев те/гямт -1,, MOias на Г(ч.;-1тель 7 газа полсоод::,.;а : ;сгома 8 нодачи газа уск.;р11г.-1 jiffia,, п(1:лектор б уста о1).-1Г:н от нагреиатгглеГг 4 на расстоянии С ,,fj р , необх 1Д.имом для нагре ва газа. Ja технолог-ическим столико 2 на. рас;-/; (;яиии, необхс)димом для ох,1ажд,енля ;;аза, аакреплеш криопане.1ь 9. Кам(;)1а 1 заключена в кожух 10 и между их стенками имеется полость Л, которая через вeнтиJ И 11 и 12 соединсм ; с закуум 1 ;11М насосом (.HR fiOi aaaii). Виутгекняя полость Б каморы 1 ч(;рез вентиль 13 сое,;и с систрмо вакуумировапия (не показана-) у с т р о и с т в а , ре; лизуется следуюнщм образом. Исгл.Пуемоо изделие 3 закрепл.яют на тех} оло1гии:ком столике 2 и откачивают воздух из П1;чости А между 13 стенками камеры 1 и кожуха 10 для улучшения тепловой изоляции каморы 1 , BfiyTpn камеры 1 с помощью системы вакуумирования создают по1П1женное давление заданного уровня, liaпример, 10 Па, Включают нагреватели 4 и однотфеменно ири работающей системе вакуумирования из натекателя 7 подают к рефлектору 6 скогтивШИ1 1СЯ в нем 3a7i;aHj.i,;ii газа,, например водорода, гелия, аргона или их смеси в количестве, например, 10 ПаЛ/с. Поток газа, проходя расстояние иагр через нагреватели 4, разогревается до задашгой температуры, в результате чего скорость молекул газа возрастает, а д.лииа свободного npoEiera молеку.л в разреженном пространстве становится соизмеримой с размером ,ioro испытуемого изделия 3, что способствует интенсивному теплообьену и увеличению скорости нагрева издр,лия 3 в течение короткого времен;. После прохолчцения рабочей зоны f-pab поток газа рас1ииряется, проходрп через криопанель 9, где он охлаж-дается до заданно; температуры и затем откачивается из камеры 1 с помощью системы вакзумировапия. Кроме охлаждения криопанель 9, имеющая развитую noBeiixHOCTb с низкой температурой, выпсхпняет роль концентратора теплового потока. При достижении предельно допустимого давления в камере 1, например, 1,0 Па подача газа в нее прекраш.ается, а нагреватели 4 отк,пючаются5 п тезу.г;ьтате чего испытуемое изде1П1е 3 охлаждается. После достижения в камере 1 начального давления 1 Па ciiOBa включают нагреватели 4 и по/дают газ, повторяя цикл нагрев - ох- лаждение заданное число раз, После этого изделие извлекают из камеры 1 и проверяют его CBoiiCTBa, по изменению которых судят о влиянии циклических нагревов i-i охлаждений,.

2030W

Т 3 5 Ю

50 г, с

Фиг2

СПОСОБ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО НАГРЕВА ИЗДЕЛИЙ, заключающийся в том, что испытуемое изделие размещают в герметичной камере, создают в ней пониженное давление и нагревают изделие, отличающийс я тем, что, с целью увеличения интенсивности нагрева при термоциклировании, нагрев осуществляют периодр ческой подачей в камеру предварительно разогретого газа, а давление в камере поддерживают постоянным.