Способ изготовления интегральной схемы Советский патент 1991 года по МПК H05K3/00 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к способам изготовления интегральных схем запоминающего устройства на цилиндрических магнитньпс доменах.

Целью изобретения является упрощение технологического процесса, что позволяет повысить процент выхода годных схем за счет упрощения процесса формирования гшанарной поверхности при изготовлении интегральной схемы с доменосодержащей структурой.

На фиг.1-8 показана последовательность выполнения операций при изготовлении интегральной схемы, где изображены подложка 1 схемы с доменосодержащей структурой, на которую поiMt

следовательно нанесены слой 2 двуокиси кремния, слой 3 разводки из сплава алюминий-медь, на -поверхности которого сформирован слой 4 окиси алюминия, маска 5 из фоторезиста, маска 6 из окиси алюминия, схема 7 разводки, слой 8 двуокиси кремния, магнитоготеночные аппликации 9 из i пермаллоя.

Пример. На подложку 1 с доменосодержащей структурой наносят ; слой 2 двуокиси кремния плазмохими- ; ческим осаждением в ВЧ разряде. Напыляют слой 3 разводки из сплава алкуминий-медь. Проводят пассивирование этого слоя в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности ток

0,3-0,5 мА/см методом анодного оксидирования в течение времени, когда напряжение (3-5 В) между анодом и катодом достигнет установившегося значения. Глубина пассивированного слоя, то есть слоя 4 окиси алюминия, Составляет ,15 первоначальной толщины слоя разводки (фиг,1-3), Выполняют термообработку слоя окиси алюминия при температуре 130150 С в течение 15-20 мин. Формируют маску 5 из фоторезиста и проводят анодное оксидирование незащищенньк участков слоя алюминий-медь на всю .З

глубину в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности тока 0,30,5 мА/см при напряжении между электродами 3-5 В в течение времени, пока ток в цепи не примет нулевое значение (фиг. 4-5).

Удаляют маску из фоторезиста.-Проводят дополнительную термообработку при температуре 200-300С в течение 1,5-2 ч, напыляют слой 8 из двуокисикремния, на который наносят слой 9 пермаллоя, выполняют вторую фотолитографию и формируют магнитопленочные аппликации. S У S /У / / У Фаг &

фиг. 7

Ш.

fn-|l-|ln.H iiJJi,n V-r-TH-L .ЦИ 1 « «liiT .уЛ-цД|.||Л .t .-Г-..J -fTjpl j. Г

и. л

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий нанесение слоя двуокиси кремния на доменосодержащую структуру,нанесение слоя из сплава алюминий-медь,первую фотолитографию для формирования схемы проводников, оксидирование незащищенных участков сдоя алюминий-медь на всю глубину. последовательное нанесение пассивирующего слоя из двуокиси кремния и слоя пермаллоя, вторую фотолитографию для формирования схемы магнитопленочньпс аппликаций из пермаллоя и удаление маски фоторезиста, отличающийся тем, что, : целью упрощения технологического процесса, после нанесения слоя из сплава алюминий-медь выполняют его оксидирование на глубину 0,1-0,15 первоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150 С в течение 15 20 мин, а после оксидирования на всю глубину незащищенных участков слоя алюминий-медь проводят дополни(Л тельную термообработку при температуре 200-300С в течение 1,5-2 ч.