Способ получения везикулярного фотографического изображения Советский патент 1986 года по МПК G03C1/52 

t

Изобретение относится к способам получения бессеребряного фотографического изображения и может быть использовано в электронике, ядерной технике и космической фотографии.

Цель изобретения - увеличение времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала.

Сущность изобретения заключается в том, что фотоотцепление азота от азида протекает и при 4-77 К, при этом диффузия сконденсированного азота практически отсутствует. Это позволяет значительно увеличить время жизни, скрытого изображения, получающегося в результате фотолиза и снизить мощность источника излучения (таблица).

Из таблицы видно, что при температуре ниже температуры жидкого азота (77 к) время хранения скрытого изображения возрастает, что подтверждает высокую сохраняемость скрытого изображения.В известном способе при 20 С запись информации от слабого источника излучения невозможна, поскольку время жизни скрытого изображения намного меньше, чем время экспонирования, т.е. процессы диффузии азота из пузырьков носят преобладающий характер.

Пример 1. Раствор везикулярного материала, состоящего из сополимера винилиденхлорида, ак- рилонитрила и метилметакрилата в метилзтилкетоне с фенилазидом наносят на лавсановую подложку, сушат при 50-70°С в течение 5 ч. Полученную подложку с везикулярным материалом помещают в криостат с температурой 77 К. Через окна из кварца в криостате производят экспонирование в течение 10 с, мощность источника излучения 10 Дж/см с.

Через 1 мин проявляют скрытое изображение, для чего подложку со слоем везикулярного материала нагревают в печке до lOO-lSO C в течение 0,5-1,0 с.

16764

После теплового проявления полученное изображение фиксируют, облучая ультрафиолетовым светом до полного разложения азида.

5 Пример2. Подложку с нанесенным на нее везикулярным материалом по примеру 1 погружают в криостат с температурой 53 С, экспонируют в течение 10 с (источник излу 0 чения имеет мощность 10- Дж/см -с . Через 1 ч осуществляют тепловое проявление изображения и фиксирование как в примере 1.

П р и м е р 3. Подложку с нане15 сенным на нее везикулярным материалом по примеру 1 помещают в криостат с температурой 23 К, экспонируют в течение (источник излучения имеет мощность 10 Дж/см - с).

20 Проявляют скрытое изображение

через 5 ч после экспонирования и фиксируют как в примере 1.

П р и м е р 4. Подложку с нанесенным на нее везикулярным матери25 алом помещают в криостат с температурой 4 К (температура жидкого гелия), экспонирование проводят в течение 10 с (источник излучения имеет мощность 10 Дж/см -с .

30

Проявляют скрытое изображение через 10 ч после экспонирования и фиксируют как в примере 1.

35 Формула изобретения

Способ получения везикулярного фотографического изображения на фотоматериале, состоящем из подложки

40 и светочувствительного слоя, содержащего сополимер винилиденхлорида, акр лонитрила и метилметакрилата и фенилазид, включающий избиратель- ное экспонирование, нагревание

д5 и неизбирательное экспонирование, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени жизни ,скрытого изображения и фотографической чувствительности материала, экспонирование проводят при 4-77 К.

тный)

10

10

10

10

20

500

10

Неограниченное

Изобретение относится к способам получения бессеребряного фотографического изображения и может быть использовано в электронике. ядерной технике и космической фотографии. Целью изобретения является увеличение времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала. Подложку со светочувствительным слоем, содержащим сополимер винилиденхлорида, акрилонитрила и метилметакрилата, а также фенилазид, помещают в крио- стат с температурой 4-77 К, Через окна из кварца производят экспонирование в течение 10 с, после чего проявляют скрытое изображение, нагревая подложку со слоем в печке до 100-130°С..Полученное изображение фиксируют облучением ультрафиолетовым светом до полного разложения азида. 1 табл.