Способ изготовления селеновых фотоэлементов Советский патент 1959 года по МПК H01L31/18 H01L31/296 

Известны способы изготовления селеновых фотоэлементов, при помощи которых одновременно с нанесением верхнего электрода получают запирающий слой путем катодного расиыления или испарения материала верхнего электрода в разряженной окислительной атмосфере.

Недостатки подобных способов состоят в том, что при их использовании трудно получить однородные по своим параметрам фотоэлементы с достаточно высоким внутренним сопротивлением.

В описываемом изобретении эти недостатки устранены разделенном операций по созданию запирающего слоя и нанесению верхнего электрода, что дает возможность обеспечить подбор оптимального режима при проведении каждого из этих процессов.

Запирающий слой получают двумя способами.

Первый-физический-способ состоит в погружении основной пластинки фотоэлемента с нанесенным на нее посредством испарения слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению при. температуре 140°, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10-80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкристаллизовавшегося при первом термическом превращении селена.

При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательиым электродом, погружают в растворы, способные вступать

.Al 124559 2 в реакцию с селеном, подвергнутым первому термическому преврандению при температуре 140°, например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1%, под влиянием которых на поверхно.сти селена образуется тонкнй слой двуокиси селена, обогащенный ионами калия.

После получения запираюш.его слоя фотоэлемент промывают, суН1ат и на него испарением в вакууме наносят отрицательный электрод.

Обработанные таким образом фотоэлемегггы обладают новынюнным внутренним сонротивлением и однородностью параметров.

Предмет и з о б р е т е н и я

Способ изготовления селеиовы.х фотоэ.лсментов, о т л н ч а JO щ и йс я тем, что, с целью получения высокого внутреннего сопротивления фотоэлементов и увеличения однородности параметров, запираюни-1Й сло(; фотоэлемента образуется обработкой селенового слоя, нанесенного на основную пластину, бензолом, 10-80 |:-иым сниртовым раствором ацетона, спиртовым или водным раствором железосинеродистого калня концентрации 0,01 - 1%, после чего испарением в вакууЛ1е наносится отрицательный электрод.