Способ пайки полупроводникового кристалла при изготовлении прибора Советский патент 1986 года по МПК H01L21/58 B23K1/12 

Изобретение относится к изготовлениво полупроводниковых приборов, в частности к способам пайки кристалла к основанию и выводам, и может быть использовано в электронике и электротехнике.

Цель изобретения - повышение выхода годных изделий за счет снижения механических повреждений кристалла на операции скрайбирования и ломки его на элементы.

Способ реализуется следующим образом.

На контактные поверхности полупроводниковой пластины наносят металлизацион- ный слой и производят скрайбирование пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристалло- держателем и выводами и нагрев до температуры пайки.

То. ццина слоя припоя, наносимого на металлизационный слой, достаточна для образования паяных соединений без внесения дополнительных доз припоя.

Пример. Пайка на кристаллодержатель кремниевых структур тиристора Т-106 на токи 10 А с одновремешюй пайкой токовых выводов - силового и управляющего - к кремниевой структуре.

На пластину кремния с тиристорными элементами, сформированными в ее теле, осаждают никелевое покрытие и подвергают гермообработке для формирования на всех ее элементах контактных площадок под пайку. Наносят на пластину сетку рисок скрай- бированием по заданному рисунку размещения кристаллов на пластине.

Наносят на поверхность припой ПОС 40 горячим способом путем окунания всей пластины в ванну с припоем или волновы.м способом. По качеству смачивания пластины припоем оценивают качество никелевого подслоя и производят отбраковку. ,и- ну слоя припоя контролируют любым известным способом и регу;1ируют ее температурным режимом нанесения припоя. По выб

ранному для тиристора Т-106 режиму наносят слой припоя толщиной 50-70 мкм. Промывают пластины, сушат и разделяют ломкой по рискам на кристаллы. После контроля вольтамперных характеристик на кристаллах и их отбраковки кристаллы с групповым кристаллодержателем и выводами загружают в кассеты. Кассеты нагревают в водородных конвейерных печах по выбранному режиму пайки: максимальная температура изотермической выдержки 350-400°С, скорость движения конвейерной ленты 12-15 см/мин. Слой припоя может быть нанесен на полупроводниковую пластину гальваническим способом. В этом случае припой после нанесения на пластину оплавляют (например, в печи или другим способом) и по качеству оплавления и смачивания пластинь оценивают пригодность ме- таллизационного покрытия (никеля) к бесфлюсовой пайке.

Данный способ позволяет снизить брак при групповой обработке полупроводниковых пластин и повысить выход годных приборов.

Формула изобретения

1.Сгюсоб пайки полупроводникового кристалла при изготовлении прибора, включающий операции нанесения на контактные поверхности полупроводниковой пластины металлизационного слоя и слоя низкотемпературного припоя, скрайбирования пластины нанесением сетки рисок, разделение пластины на отдельные кристаллы ломкой ее по рискам, сборку кристаллов с кристаллодержателем и выводами и нагрев до температуры пайки, отличающийся тем, что, с целью повыщения выхода годных изделий, слой припоя наносят между операциями скрайбирования и разделения пластины на отдельные кристаллы.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой припоя наносят толщиной достаточной для образования паяпых соединений.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам пайки кристалла к основанию и выводам, и может быть использовано в электронике и электротехнике. Изобретение позволяет повысить выход годных изделий за счет снижения механических повреждений кристалла на операции скрай- бирования и ломки его на элементы. На контактные поверхности полупроводниковой пластины наносят металлизационный слой и производят скрайбирование пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристаллодержателем и выводами до температуры пайки. Слой припоя может быть нанесен на полупроводниковую пластину гальваническим способом. В этом случае припой после нанесения на пластину оплавляют и по качеству оплавления и смачивания пластины оценивают пригодность металлизационного покрытия к бесфлюсовой пайке. 1 з.п. ф-лы. (Л ю ел ГчЭ с