Способ определения температуры поверхности Советский патент 1986 года по МПК G01K7/40 

Изобретение относится к области температурных измерений.

Целью изобретения является измерение температуры поверхности образцов в фотоэлектронном спектрометре с помощью фотоэлектронных спектров.

На чертеже представлена градуиро- вочная кривая для измерения температуры .

Диэлектрический датчик приводят в тепловое равновесие с исследуемой поверхностью образца, помещенного в камеру электронного спектрометра. Под действием рентгеновского излучения на поверхности датчика образует-- ся стабильный положительный заряд, которь1й. приводит к одновременному сдвигу всех линий фотоэлектронного спектра датчика относительно положени линий незаряженной поверхности. Для воспроизводимости результатов необходимо соблюдать одинаковые условия облучения датчика и регистрации спектров,. Степень зарядки и, следовательно, сдвиг спектральных линий зависят от температуры поверхности. Таким образом, сдвиг линий позволяет судить о температуре поверхности.

Если LJ - смещение линии в интервале .uL, то температура, от,нечаго1цая

т ЬТ этому сдвигу 1; L- ----- „

U

Здесь дТ Т„„,- Т, /лЬ (, ( « 0 таб,1ич- ное значелше положения линии в фого- электронном спектре на незаряженной поверхности, L,,, .L,;,, - соответственно максимальное и минимальное смеще-- пия линии в диапазоне температур дТ „ Для повышения точности измерений следует пользоваться градуированным графиком (фиг.1).

В случае измерения температуры поверхности диэлектрика в качестве датчика температуры служит сам исследуемый образец.

Пример,В качестве датчика используют монокристалл титаната бария BaTiO. При комнатной температуре линии фотоэлектронного спектра этого кристалла сдвинуты на 11 эВ.

При нагреве его до 500 К сдвиг линий у {еньшается. до 1 эЕ. Таким образом, в интервале температур ЗОО- ЗОО К линии сдвигаются на 10 эВ. Для измерения промежуточных температур строится градуировочная кривая.

Формула изобретения

1 ., Способ определения температурь

поверхности, закл очающийся в воздействии рентгеновского излучения на исследуемый объект и регистрации фотоэлектронного спектра, о т л и ч а - ю щ и и с я тем, что, с целью расширершя температурного диапазона измерений, повышения точности, воспроизводимости и упрощения измерений, перед воздействием рентгеновского излучения на поверхиость;исследуемого объекта устанавливают диэлектрический датчик, пх иводят ei o в тепловое равновесие с ней и регистрируют фотоэлектронный спектр датчика, а температуру поверхности определяют по

сдвигу линий фотоэлектронного спектра относительно положения линий спектра от незаряженной поверхности датчика.

2, Способ по п.1, отличаюш, I и с я тем, что в качестве датчика используют диэлектрическую поверхность образца.

« «Ъ

//

to

«

1

6

и

3

и

2

300

400

Редактор В.Иванова

Составитель Ю.Акопов

Техред И.Верес Корректор Л.Пилипенко

Заказ 4813/41 Тираж 778Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

50

Т,

Изобретение относится к температурным измерениям и позволяет изме- рить температуру поверхности образцов в фотоэлектронном спектрометре с помощью фотоэлектронных спектров. Для этого перед воздействием рентгеновского излучения на исследуемую поверхность устанавливают диэлектрический датчик, приводя его в тепловое равновесие с ней,и регистрируют фотоэлектронный спектр датчика, а температуру поверхности определяют по СДВИГУ;линий фотоэлектронного спек тра относительно положения линий спектра от незаряженной поверхности датчика. В качестве датчика используют диэлектрическую поверхность образца. Для воспроизводимости результата необходимо соблюдать одинаковые условия облучения датчика и регистрации спектров. Степень зарядки и сдвиг спектральных линий зависят § от температуры поверхности. Сдвиг линий позволяет судить о температуре y/J поверхности. 1 з.п. ф-лы, 1 илл. ГО ел ел 00 4ib