Терморезистивный материал Советский патент 1986 года по МПК G01K7/16 G01K7/22 

Изобретение относится к nojiynpoводниковой термометрии и может быть использовано для измерения температуры в диапазоне 20-180 С. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления терморезисторов . Согласно иэобретеншо в качестве терморезистивного материала предложено использовать поликристаллический эонноочищенный германий с концентрацией примеси менее 1,510 см В поликристаллическом германии, например, марки ГПЗ-1 суммарная кон центрация остаточной примеси и цент ров, обусловленных границами зерен микрокристаллов 5 не зависит от количества этих зерен и их размера и существенно ниже собственной концен рации носителей в германии (310 см В этом олучае электропроводность но йит собственный характер, а ее температурная зависимость в диапазоне темперйтур 20- 80С определяется ши рийой запрещенной аоны германия (также как и монокристаллического германия. При этом диапазон линейности вольтамперной характеристики расширяется и рабочие напряжения ув личиваются до 5 В. г . Применение поликристаллического германия значительно згпрощает и уде шевляет технологию изготовления тер . морезисторов, так как не требует вырапцгаания монокристаллов. Терморезисторы.на основе предложенного поликрйсталли геского германия обладают высокой термочувствительностью, большим значением удельного сопротивления - 90 Ом-см при Т ) и не требуют индивидуальной градуировки. На фиг.1 приведены температурные зависимости сопротивлений для трех образцов термореэнсторов, изготовленных из поликристаллического германия марки ГПЗ-1. Видно, что в масштабе In R f(5;-) все они имеют одинаковый ( с точностью лучше 3% ) наклон, равный 0,39 эВ, соответствующий как и в монокристаллическом германии области собственной проводимости. Отличия в абсолютной величине сопротивления связаны с различием в геометрии терморезисторов. На фиг.2 приведена типичная вольтамперная характеристика терморезисторов, изготовленных из поликристаллического германия марки ГПЗ-1. Видно, что область линейности на данной характеристике более чем в 10 раз превышает аналогичные данные для прототипа. Формула изобретения Применение поликристаллического зонноочищенного германия с концентрацией примеси менее I, см в качестве терморезистивного материала.

Изобретение относится к полупроводниковой термометрии. Предложено в качестве терморезистивного материала использовать поликристалли- ческий эонноочищенный германий с концентрацией примеси менее 1 ,-5i 10 . В этом материале суммарная концентрация остаточной, примеси и центров обусловленных границами зерен мйкрокристаллов, не зависит от крдичества и размера зтих зерен. В зтом случае .электропроводность германия носит собственный характер, а еетемпературная зависимость в интервале 20... определяется шириной с: прещенной зоны германия. Терморезисторы на основе предложенного прликристаллического германия обладают высокой термочувствительностью, большим значением удельного Сопротивления и не требуют индивидуальной дуировки. Ь9