Изобретение относится к полупроводниковой термометрии и может быть использовано для измерения температуры в диапазоне ог -20 до 500°С.
Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур и повышение чувствительности терморезистора.
Установлено, что поликристаллический кремний с определенной концентрацией примеси позволяет расширить диапазон рабочих температур терморезистора и увеличить его термочувствительность. При этом нижний предел конце- трации примеси не ограничен физически, а зависит от существующих на сегодняшний день технологий очистки кремния. При превышении концентрации примеси более 2 1015 , изменяется температурная зависимость проводимости поликристаллического кремния, что приводит к необходимости индивидуальной градуировки каждого терморезистора и ухудшению термочувствительности. В то же время, выполнение чувствительного элемента из поликристаллического кремния с концентрацией примеси, не превышающей установленную величину, одновременно приводит к существенному расширению температурного диапазона (от -20 до 500°С) и увеличению термочувствительности (В 6400 К), причем термочувствительность одинакова для всех терморезисторов, изготовленных из такого поликремния. Ввиду того, что кремний является основным материалом микроэлектроники, в которой разработана планарная технология, это позволяет миниа- тюризовать приборы, в значительной степени повысить воспроизводимость и технологичность изготавливаемых термсре- зисторов. Рабочий диапазон напряжений терморезисторов из поликристаллического кремния достигает 3 В, что значительно больше, чем у известного терморезистора
На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - типичные температурные зависимости для двух терморезисторов, изготовленных из поликристаллического кремния марки КПО и КП1; на фиг. 3 - типичная вольт-амперная характеристика терморезистора из поликристаллического кремния (марка КПО)
Устройство содержит термочувствительный элемент 1 терморезистора и контакты 2.
сл
XI
со VJ сл ю
CJ
Терморезистор работает следующим образом.
Через терморезистор пропускается измеряемый электрический ток, осуществляется измерение падения напряжения, после чего определяется сопротивление терморезистора. Изменение температуры приводит к изменению сопротивления терморезистора, а, следовательно, и к изменению измеряемых величин. Каждому значению сопротивления терморезистора однозначно соответствует определенная температура,
Пример. Терморезистор изготовлен следующим образом. Из поликристаллического кремния марки КПО и КП1, концентрация примеси в которых 1013 и 5 10 3 см , вырезались образцы в виде шайб толщиной 1-2 мм и диаметром 6 мм. На противоположные стороны шайбы наносились омические контакты: на шлифованную поверхность образца электрохимически осаждался никель. Затем точечной сваркой приваривали к поверхности образца золотые проволочки диаметром 50 мкм.
На этих образцах проведены измерения температурных зависимостей сопротивления и вольт-амперных характеристик терморезисторов, результаты которых приведены на фиг. 2. Из фиг. 2, а видно, что в диапазоне от -20 до 500°С все терморезисторы имеют одинаковый наклон, что свидетельствует об их одинаковой термочувствительности. Из фиг, 2, б, на котором приведена типичная
вольт-амперная характеристика терморезистора из поликристаллического кремния (марка КПО), видно, что диапазон линейности составляет 3 В, в то время как у известного терморезистора диапазон линейности вольт-амперной характеристики 0,5 В.
Таким образом, предлагаемый терморезистор, расширяет диапазон температур от 20-180°С до (-20)-500°С. При этом одновременно почти в 1,5 раза увеличивается термо- чувствительность с 4400 К в известном терморезисторе до 6400 К в предлагаемом. Достоинством предлагаемого терморезистора также является расширение диапазона линейности примерно в 5-6 раз. Кроме того, преимуществом предлагаемого терморезистора является его высокая технологичность при изготовлении в связи с исключением операции выращивания монокристалла, а также низкая стоимость поликристаллического кремния.
Формула изобретения Терморезистор, не требующий индивидуальной градуировки, содержащий термочувствительный элемент, выполненный из кристаллического полупроводникового материала, и контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур и повышения чувствительности, в качестве полупроводникового материала использован поликристаллический кремний с концентрацией примеси, не превышающей величины 2 1015см 3.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Терморезистивный материал | 1984 |
|
SU1264011A1 |
Способ изготовления термочувствительныхпОлупРОВОдНиКОВыХ элЕМЕНТОВ | 1977 |
|
SU679025A1 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ•:УТ~НД | 1972 |
|
SU347594A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА | 1994 |
|
RU2084032C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЕФОРМАЦИИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2200300C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ЧАСТЕЙ ТЕЛА | 2000 |
|
RU2158106C1 |
Мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия | 2021 |
|
RU2782307C1 |
Терморезистор | 1979 |
|
SU887945A1 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1970 |
|
SU288352A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2005 |
|
RU2284613C1 |
Использование: для измерения температур в диапазоне от-20 до 500°С. Сущность изобретения: термочувствительный элемент терморезистора выполнен из поликристаллического кремния с концентрацией примеси, не превышающей величины 2-10 см , что позволяет помимо расширения диапазона рабочих температур и повышения чувствительности улучшить воспроизводимость и технологичность изготовления терморезисторов в связи с исключением операции выращивания монокристалла. 3 ил.
Фиг.1
400 300 200
-it-2
°
103/Т,Г
Фиг 2
г
Т 292 К
6 U.B
--2
Физика и техника полупроводников, 1979, т | |||
Насос | 1917 |
|
SU13A1 |
Инерционный аккумулятор | 1918 |
|
SU2290A1 |
Авторы
Даты
1992-05-30—Публикация
1990-01-22—Подача