Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем Советский патент 1986 года по МПК B23K31/02 

Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интеграпьных схем, и может быть применено пр присоединении вьшодов к контактным площадкам транзисторов и.интегральных схем односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленны электродом. Целью изобретения является повышение надежности монтажа путем умень шения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного На фиг.1 изображена схема присоединения вывода, к контактной площадке затвора.транзистора; на фиг.2 - эквивалентная схема полевого транзистора, где Rg - сопротивление эпитаксиальной пленки между истоком и затвором и металлизации затвора; G - выходная проводимость; R; - распределенное сопротивление канала (R; 60 м) ; Ci,емкость исток - затвор; C-jp - емкость затвор - сток; Сц, - емкость не сопротивление исток - сток: стока. Способ осуществляют следуюпшм об разом. Первый вывод 1 с помощью расщепленного электрода 2 присоединяют одним концом импульсной контактной микросваркой к контактной площадке затвора 3 транзистора, после чего другой конец этого вывода присое диняют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы. Затем второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока 4 (или ис тока 5) транзистора, после чего дру гой конец второго вывода присоединя ют к такой контактной площадке-гибридно-интегральной схемы, чтобы эле трическая цепь затвор - сток (или затвор - исток) оказалась замкнуто на нагрузочное сопротивление гибрид но-интегральной схемы. Порядок прис единения третьего вывода к транзистору несущественен. Из эквивалентной схемы полевого транзистора (фиг.2) видно, что при осуществлении первой сварки вывода .к контактной площадке затвора Г на емкостях С,,, и С,(. индуцируется з ряд, практически равный по величи9не напряжению сварочного импульса, т.е. на контактных площадках стока 4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к зат- вору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличие на контактных площадках истока или стока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, за счет чего снижается вероятность пробоя переходов исток - затвор и сток затвор. Прим ер. Проводили монтаж кристаллов СВЧ полевых транзисторов, на полосковуто плату из поликора тол щиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и резисторами. Материал полосковых линий и контактных площадокСг (0,2 мкм) - Си (8 мкм) и Ли (2 мкм). Соединение кристалла полевого транзистора с контактной площадкой полосковой платы проводили золотой проволокой, а кристалл присоединяли к плате контактолом. Разварку выводов осуществляли следующим образом: конец проволоки устанавливали на контактную площадку затвора транзистора и производили сварку. После формовки вывода проводили приварку второго конца проволоки к контактной площадке полосковой платы. Затем конец второго проволочного вывода устанавливали на контактную площадку истока транзистора и производили сварку, после чего производили приварку другого конца второго вывода к контактной площадке полосковой платы таким образом, что электрическая цепь затвор - исток оказывалась замкнутой на выгрузочное сопротивление полосковой платы. После этого производили приварку третьего вывода одним концом к контактной площадке стока транзистора, а другим концом - к контактной площадке полосковой платы. Размеры монтируемых транзисторов, режимы сварки и процент годных транзисторов после разварки выводов приведены в таблице. Использование способа монтажа таких полевых транзисторов обеспечивает по сравнению с иавестньши способами при сохранении высокой прочности сварного соединения значительное повышение выхода годных приборов вслед ствие исключения длительного термического (как в случае применения тер мокомпрессионной сварки) или интенсивного механического как в случае применения ультразвуко -. вой сварки воздействий на кристалл. Внедрение изобретения не связано с созданием специального оборудования и основано на использовании существующей технологической базы, в частности, стандартных методов и оте чественных установок односторонней импульсной контактной микросварки, . способ монтажа полевых транзисторов может.эффективно использоваться в промышленности с применением стандар ного технологического оборудования. 12 94 Формула изобретения Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, включающий присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и схемы односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом, отличающийся тем, что, с целью повьшения надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного . тока, вналаче присоединяют первый вывод одним концом к контактной площадке затвора транзистора, а другим концом - к контактной площадке схемы, после чего присоединяют второй вывод одним концом к контактной площадке истока (или стока) транзистора, а другим концом - к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор - исток (или сток) на нагрузочное сопротивление схемы.

Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при присоединении выводов к контактным площадкам транзисторов и интегральных схем односторонней импульсной контактной мщсросваркой расщепленным электродом. Целью изобретения является повышение надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии им-пульса сварочного тока. Сущность изобретения состоит в том, что вначале первый вывод присоединяют к контактной площадке затвора транзистора, после чего другой конец зтого вывода присоединяют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы. Второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока (или истока) транзистора. Другой конец второго вывода присоединяют к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор - сток (или W исток). Данная последовательность присоединения выводов при монтаже кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем снижает уровень индуцированного потенциала в области исток - сток траню зистора. 2 ил., табл. 4 00 00

0,4x0,4 20

80

0,5

15 45