Ю
о
СГ1 ts)
11
Изобретение относится к пайке, в частности к способам бесфлюсовой пайки легкоплавкими припоями, и может быть использовано в электронной технике,
Целью изобретения является повышение качества паяного соединения и повышение производительности путем активирования продесса удаления загрязнений из зоны пайки.
Способ осуществляют следующим образом.
На одну из соединяемых деталей наносят покрытие из припоя, содержащего индий, а на другую - двухслойное покрытие из припоя, содержащего висмут. Нажний слой выполняют в виде матового покрытия толщиной 3-12 мкм с содержанием висмута, в количестве 2-20 мас.%, а верхний с:той в виде блестящего покрытия толщипоГ 3-6 мкм с содержапием висмута 0,1-0,5 мае .%. Детали собирают, сжимают, нагревают до температуры выше температуры начала плавления более легкоплавкого из используемых припоев и производят диффузиопную выдержку до завершения затвердевания припоя.
Двухслойное покрытие в отличие от каждого из составляющ1гх слоев имеет способпость поглощать в собственный объем (за счет объемного геттерирования) загрязнения, в том числе окислы из зоны первоначального контакта соединяемых поверхностей. В этом случае эффект геттерирования проявляется на мелсфазной границе матовоеблестящее покрытие, за счет которого при наличии двухфазпой структуры первой пористой с развитой поверхпостью и второй блестящей плотной изменяютс состав и свойства двухслойного покрытия. Это способствует уменьшению в 5-1C раз времени взаимодействия приПОЙИОГ.О двухслойного ОЛОВО-ВИСМУТОВО
го покрытия с припоем, содержащим индий. Причем определяющим при пайке в достижении эффекта геттерирования двухсло1 1Ной поверхностью является блестящий слой с плотпой гладкой поверхпостью, обеспечивающе падежный контакт с припойным слоем, содержащи индий.
Если толщина блестящего слоя менее 3 мкм, то такой слой не обеспечивает полную защиту пористого активпого матового слоя от контакта с внешним объемом в менсоперационньй период и
522
при пайке и, следовательно, не образуется необходимая граница раздела между матовым и блестящим покрытиями Время процесса пайки в этом случае увеличивается вследствие необходимости обеспечения газовыделения и восстановления окислов на всей развитой матовой поверхности, что не всегда возможно достичь при низких температурах.
Если толщина верхнего блестящего слоя превышает 6 мкм, структура поверхиостнаго слоя двойного покрытия приближается к структуре блестящего. Граница раздела матово-блестящего покрытия становится удаленной от зоны контакта соединяемых поверхностей настолько, что увеличивается иремя взаимной диффузии через блестящее покрытие компонентов из граничного слоя и из зоны контакта соединяемых поверхностей. В этом случае увеличивается и время пайки.
Толщина матового подслоя тоже оказывает влияние на время пайки. Если паяемые детали имеют толщину матовог подслоя в двухсло11Ном покрытии менее 3 мкм, то уменьшить время пайки, сохраняя прочность соединения, не удается. Это, по-видимому, связано с недостаточной величиной активного объема, образуемого пористым матовым подслоем, а также влиянием материала или подслоев покрытий, расположенных 13 непосредственной близости к матовому виcмyтoвo ry покрытию.
Бследст зие того, что одним из условий образовапия паяного соединения является диффузия с одной паяемой поверхности на другую, то концентрация его в слоях припойного покрытия имеет существенное значение
При применении олово-висмутового двухслойного покрытия ОСНОВНЫ.М источником висмута должен матовый подслой. Это обеспечивает предпочтительную диффузию висмута по развитой поверхности кристаллов матового подслоя и образование концентрационной аномалии на границе раздела матовыйблестящий слой, где распределение компонентов олова и висмута по глубине олово-висмутового покрытия, повидимому, и является одной из основных предпосылок возникновения явления геттерирования.
5становить явления фракционирования Bi с выходом па поверхность и
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ бесфлюсовой низкотемпературной пайки микрополосковых устройств | 1981 |
|
SU965656A1 |
СПОСОБ БЕССВИНЦОВИСТОЙ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА К КОРПУСУ | 2005 |
|
RU2278444C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОПОЛИМЕРНОГО КОРПУСА МИКРОСХЕМЫ | 2023 |
|
RU2821166C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО КАТОДА | 2011 |
|
RU2486995C2 |
СПОСОБ ПАЙКИ ТЕПЛООБМЕННИКА | 2013 |
|
RU2569856C2 |
Контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния и способ ее изготовления | 2016 |
|
RU2624990C1 |
Способ пайки деталей из керамики со сталью | 2022 |
|
RU2812167C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ НА ТОКОПЕРЕДАЮЩИЕ ПОВЕРХНОСТИ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | 2014 |
|
RU2580355C1 |
Припой для бесфлюсовой пайки и способ его изготовления | 2015 |
|
RU2609583C2 |
Способ нанесения металлического покрытия на токопередающие поверхности контактных соединений | 2017 |
|
RU2690086C2 |
Изобретение относится к пайке, в частности к способам бесфлюсовой пайки легкоплавкими припоями, и позволяет повысить качество паяного соединения и производительности за счет активирования процесса удаления загрязнений из зоны пайки. На одну из соед1 няем)1Х поверхностей наносят покрытие из припоя, содержащего индий, а на другую - двухслойное покрытие из припоя, содержащего висмут; Нижний слой выполняют в виде матового покрытия толщиной 3-12 мкм с содержанием висмута в количе.стве 2-20 мае. %, а верхний слой в виде блестящего покрытия толщиной 3-6 -мкм с содержанием висмута 0,1-0,5 мас,%. Двухслойное покрытие имеет способпость поглотать в собственньпг объем загрязнения, в том числе окислы из зоны первоначального контакта соединяемых поверхностей. В этом случае эффект геттею рирования проявляется на межфазной Границе матовое-блестящее покрытие.
Способ бесфлюсовой низкотемпературной пайки вакуумплотных соединений | 1978 |
|
SU730504A1 |
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб | 1921 |
|
SU23A1 |
МНОГООПЕРАЦИОННАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ПРЕССОВАНИЯ И СБОРКИ | 1994 |
|
RU2104817C1 |
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб | 1921 |
|
SU23A1 |
Авторы
Даты
1986-12-15—Публикация
1985-06-27—Подача