ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ Советский патент 1996 года по МПК H01S3/19 

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных интегральных схемах средней и большой степени интеграции.

Цель изобретения достижение непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода.

На чертеже представлена конструкция лазера с полевым управлением.

Он содержит полуизолирующую подложку из арсенида галлия 1 и расположенные на ней слой 2 из GaAlAs n-типа, активный слой 3 из p-GaAs, слой 4 из GaAIAs р-типа, слой 5 из сильнолегированного p⁺-GaAs и омический контакт 6. Слои 2,3,4 составляют двойную гетероструктуру (ДГС). По другую сторону подложки расположен слой 7 из GaAs n-типа проводимости с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В полупроводниковом слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 n-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной локальной областью 12.

Лазер работает следующим образом.

На контакты 6 и 9 подают напряжение, обеспечивающее превышение порогового тока лазера. При этом управление лазером осуществляют полевым образом посредством модуляции напряжения на затворе 10.

Для расширения функциональных возможностей в контактном слое ДГС возможно формирование элементов, осуществляющих коммутирование света, излучаемого ДГС, например, посредством распределенной обратной связи.

Предлагаемые конструкции могут быть использованы в качестве базовых ячеек ОИС средней и большой степени интеграции в системах связи и в вычислительных системах.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру; например, слой 2 n-GaAlAs, имеющий общую границу с подложкой, слой 3 p-GaAs, являющийся активным слоем излучающей части лазера, и слой 4 рAlGaAs, поверх которого расположен сильно легированный слой 5 р⁺-СаАs и контакт 6 к нему. По другую сторону подложки 1 расположен слой 7 n-GaAs с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 GaAs n⁺-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной областью 12 подложки. 1 ил.

Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под контактом стока выполнена сильнолегированная область, гальванически связанная с сильнолегированной областью подложки, а на сильнолегированном полупроводниковом слое установлен омический контакт.