ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ Советский патент 1996 года по МПК H01S3/19 

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в передающих модулях волоконно-оптических линий связи.

Целью изобретения является обеспечение работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода.

На чертеже показан предлагаемый лазер с полевым управлением.

Лазер содержит подложку 1 из GаAs n₊ -типа проводимости, на одной стороне которой расположены слои 2-4, образующие двойную гетероструктуру. Поверх гетероструктуры размещен слой 5 и З арсенида галлия р-типа проводимости с омическим контактом 6. С другой стороны подложки расположен слой 7 из арсенида галлия с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. Между слоем 7 и подложкой 1 имеется монокристаллический изолирующий слой 11 из Al GaAs О. В слоях 7 и 11 выполнена канавка с наклонными стенками, проводящее покрытие 12 которой обеспечивает омический контакт с подложкой.

Лазер работает следующим образом. На контакты 6 и 9 подают напряжение, обеспечивающее превышение порогового тока лазера. Управление лазером осуществляют модуляцией напряжения на затворе 10.

При этом устранена проблема формирования контакта к широкозонному эмиттеру, так как здесь гальваническая связь стока с излучателем осуществляется посредством контакта к сильнолегированной подложке GaAs, а не к слою AlGaAs. Упрощается также процесс выделения модуля из кристалла, который можно осуществлять непосредственно скрайбированием со стороны полупроводникового (транзисторного) слоя к последующим скалыванием по месту скрайба при формировании резонаторов.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в передающих модулях . Цель изобретения - обеспечение работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода. Лазер содержит подложку n⁺= СаАs, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру, и слой СaАs с омическим контактом. По другую сторону подложки размещен слой р-GаАs с контактами стока, истока и электродом затвора. Между слоем и подложкой расположен монокристаллический изoлирующий слой из AIGaAs:О, а в слоях выполнена канавка с наклонными стенками. 1 ил.

Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше суммарной толщины полупроводникового и изолирующего слоев, но меньше суммарной толщины этих слоев и подложки, в которой выполнен омический контакт к подложке, гальванически связанный с электродом стока, при этом на внешнем слое ДГС находится изотипный ему слой сильнолегированного GaAs с омическим контактом.