Керамический материал Советский патент 1987 года по МПК C04B35/57 H01G4/12 

112

Изобретение относится к электро- технической керамике, в частности к керамике, используемой для создани термостабильных конденсаторов и друг электро- и радиотехнических устройст для которых необходима температурная стабильность электрофизических параметров, а именно сохранение удельног объемного электросопротивления на уровне -10 Юм-см п, интервале 20-500 С при диэлектрической проницаемости f 200-300 и температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости ТК 0.

Цель изобретения - увеличение удельного объемного электросопротивлния, диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы нулевы значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости.

Материал получают по известной керамической технологии. Исходную смесь оксидов вольфрама и теллура и карбоната кальция перетирают в §,га- товой ступке в присутствии ацетона; до полного его испарения.. Полученную

гомогенизированную смесь помещают в алундовый тигель и обжигают в электропечи при 800-850 С в течение 20-

1й

10 3-10 2,510 256 256 4 3,4-10 3,8-10 284 284 8 2,8-10 1,7-10 291 291

Формула изобретения

Керамический материал, включаю- щий СаО и WOj, отличающий- с я тем, что, с целью увеличения удельного объемного электросопротивления, диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы

ВНИИПИ

Заказ 714/27 Тираж 588 Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

25 из 5 О

5

0

5

ч. Спеченньй материал извлекают

тигля и измельчают в агатовой ступке до размера частИц О,1-0,01 мм, далее прессуют таблетки при комнатной температуре и давлении 150- 200 МПа, обжигают в муфельной печи при 600-650°С в течение 0,5-1 ч, затем .охлаждают до комнатной температуры, наносят серебряную пасту и подвергают термообработке при 200 и 800°С.

Измерение электрофизических характеристик проводили на частоте 1 кГц по ГОСТу 5458-75 и ГОСТу 13236- 83 с помощью моста Р 577 и ячейки, имитирующей коаксиальный линейный датчик.

Материал представляет собой фазу на основе индивидуального соединения состава ,0, . Высокие значения PV обусловлены малой степенью разу- порядоченности структуры, а высокие значения е и ее температурная стабильность - отсутствием перераспределения электронной плотности даже при высоких температурах ().

Составы керамического материала и его электрофизические свойства приведены в таблице.

О О О

нулевых значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит TeOj при следующем соотношении компонентов, мол.%:

СаО

WO.

3

ТеО„

70-73 20-23 Д-10

Подписное

Изобретение относится к электротехнической керамике для термостабильных конденсаторов. С целью увеличения удельного объемного электросопротивления, диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы нулевых значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости керамический материал содержит 70-73 мол.% оксида кальция, 20- 23 мол. % оксида вольфрама и 4- 10 мол.% диоксида теллура. В интервале 2 0-5 00 С предлагаемый керамический материал обладает следующими Электрофизическими параметрами: Ом см, f 256-291 ед., . 1 табл. i ю со о: ел 4 оо