Оптический фильтр Советский патент 1987 года по МПК G02B5/22 

t -1307A232

Изобретение относится к оптичес- не зависит от. вида кристаллическим светофильтрам и может бытв не- кон матрицы (CaF , SrF , BaF ). Использовано в фотохимии органических пользование в процессе выращивания и неорганических материалов в ваку- кристалла фторирующей присадки PbF умной ультрафиолетовой области спект- 5 позволяет удалить возможное примес- ра для разделения двух резонансных ное загрязнение кристалла киапородом, линий рути.имеющим поглощение в области 180 Цель изобретения - повып1ение фото- 90 нм, что обеспечивает достижение химической стойкости фильтра.высокого светопропускания кристалла

Оптический фильтр представляет со- Ш для излучения с длиной волны, равной бой плоскопараллельную пластину, из- 185 нм. Оптический фильтр, вьтолнен- готовленную из кристалла фторида ба- ный в виде плоскопараллельной пласти- рия, содержащего в качестве примеси „ы, толщиной 1,90 см, имеет пропуска- ионы трехвалентного эрбия в форме ние на длине волны /1 185 нм, рав- ErFg в количестве 7,0 мас.%, 15 „Qg 32%, и на длине волны нм Повышение фотохимической стойкое- 0,1%. Фильтр не изменяет своих. , ти пре,ад1агаемого светофильтра проис- свойств при облучении ртурным разря- ходит за счет того, что ионы Е , дом с, интенсивностью в области длины замещающие регулярные катионы Ва волны 254 нм приблизительно 10 квант/ в кристалле Ва, (и его аналогов CaF 20 /с-см в течение по крайней мере или SrF)5 выращенном в присутствии 15 ч. PbF. , имеют локальную компенсацию

избыточного положительного заряда в Оптический фильтр может быть ис- форме междоузельных ионов фтора и пользован при разработке методики ус- практически не изменяют своей валент- испытаний радиационной стой- ности под действием излучения ртутно- кости ламповых люминофоров, о разряда. Это обеспечивает неизменность поглощения таким светофильтром Формула изобретения в области Д 254 нм.

Кристалл BaF :ErF (7 мас.%) выраЕги- 30 Оптический фильтр, преимуществен- вают методом Стокбаргера-Степанова.Во но для подавления излучения ртутного время роста кристалла имеет место ре разряда с длиной волны, равной 254 им, акцияи пропускания излучения с длиной волВаО + PbF - BaF + PbO. ны, равной 185 нм, состоящий из плосОбразовавшаяся смесь свинца при 35 копараллельной кристаллической плас- температуре плавления кристалла уле- тины, выполненной на основе фторида тучивается из расплава до начала кри- метгшла, отличающийся сталлизации, в то время как нелету- тем, .что, с цепью повышения фотохими- чая примесь ErF остается в расплаве ческой стойкости фильтра, пластина и кристалле и обеспечивает поглощение 40 выполнена из фторида бария с примесью излучения с длиной волны, равной /f трехвалентного эрбия в форме ErF, в 254 нм. Положение полосы поглощения количестве 7 мас,%.

Изобретение может быть использовано в фотохимии материалов в вакуумной ультрафиолетовой области спектра для разделения двух резонансных линий ртути. Цель изобретения - повышение фотохимической стойкости фильтра. Пластина фильтра выполнена из кристалла фторида бария с примесью трехвалентного эрбия в форме ErF, в количестве 7,0 мас.%. Кристалл BaF Г ErFg вьфащивается методом Стокбар- гера-Степанова. Используемая при выращивании кристалла фторирующая присадка способствует удалению примесного загрязнения его кислородом.