Способ изготовления сварных контактов между выводным проводником и поверхностью полупроводникового прибора Советский патент 1960 года по МПК H01L21/479 

Описание патента на изобретение SU133530A1

Известен способ изготовления сварных контактов между выводным проводником и поверхностью полупроводникового прибора, основанный на пропускании импульса тока через переходный контакт между полупроводником и прижатым к нему острием проволочного вывода. Недостаток этого способа заключается в том, что для получения определенных свойств контакта необходимо проволоку легировать соответствующей примесью или наносить ее на поверхность привариваемой проволоки, что сложно и плохо зоспроизводнмо. Кроме того, в момент сварки возможно испарение нанесенной примеси, что приводит к изменению свойств контакта, а легированная проволока, как правило, обладает худшими механическими свойствами.

Предлагаемый способ позволяет упростить технологию получения сварного контакта требуемого типа. Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.

Сущность способа заключается в следующем.

Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходи г образование или выпрямляющего, или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется омический контакт. Если же полярность изменить, то в месте сварки образуется выпрямляющий контакт.

№ 133530- 2 Предмет изобретенияСпособ изготовления сварных контактов между выводным проводником н поверхностью полупроводникового прибора, основанный на пропускании импульса тока через переходный контакт между полупроводником и прижатым к нему острием проволочного вывода, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения сварного контакта требуемого типа, легируют полупроводник, например кремний, галлием и пропускают импульс тока от полупроводника к выводу, нааример изготовленному из золота, для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.

Похожие патенты SU133530A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВвсгсц»Я11>&|1 .fFM^m^^Т*фБ:';Щ1?а(А„. 1965
  • В. И. Диковский С. Б. Вихрова
SU174276A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ 1993
  • Минеева М.А.
  • Муракаева Г.А.
RU2084988C1
ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО С НИТРИДНЫМ ПОЛУПРОВОДНИКОМ И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОДОВ К НЕМУ 2001
  • Сано Масахико
RU2238607C2
Контактная пара для микросварки интегральных схем 1977
  • Колешко В.М.
  • Белицкий В.Ф.
SU722429A1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2001
  • Афанасьев А.В.
  • Ильин В.А.
  • Петров А.А.
RU2178601C1
Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов 2020
  • Подувальцев Александр Владимирович
  • Сизов Вячеслав Геннадьевич
  • Подувальцев Алексей Александрович
RU2751605C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II-VI ГРУПП 1992
  • Хаас Майкл А.
  • Ченг Хва
  • Депьюдт Джеймс М.
  • Ки Юн
RU2151457C1
ДИОД НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ (МПМ) 2013
  • Хуссин Розана
  • Чэнь Исюань
  • Ло И
RU2632256C2
СИНЕ-ЗЕЛЕНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД 1992
  • Хаас Майкл А.
  • Ченг Хва
  • Депьюдт Джеймс М.
  • Ки Юн
RU2127478C1
ОМИЧЕСКАЯ КОНТАКТНАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1994
  • Сангин Ли
  • Соонох Парк
RU2155417C2

Реферат патента 1960 года Способ изготовления сварных контактов между выводным проводником и поверхностью полупроводникового прибора

Формула изобретения SU 133 530 A1

SU 133 530 A1

Авторы

Диковский В.И.

Королев М.А.

Даты

1960-01-01Публикация

1960-03-10Подача