СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВвсгсц»Я11>&|1 .fFM^m^^Т*фБ:';Щ1?а(А„. Советский патент 1965 года по МПК H01L21/40 

Описание патента на изобретение SU174276A1

Известны способы изготовл«н:ия омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического, в частности золотого, вывода с добавками доноров или акцепторов или покрытого слоем металла-примвси с предварительным его оплавлением.

Предлагаемый способ изготовления омического контакта « полупроводниковым приборам отличается тем, что металлический вывод, в част1юст1И из зо.лота. предварительно покрывают слоем висмута в кол.ичестве, не превышающем IO/Q от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не иже€0о/о.

Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремвия повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию п- и р-типа проводимости.

Опособ осуществляется следующим образом.

На вывод из золотой заготовки, напр.имер, в виде проволоки ианосят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1 % от веса золотого вывода, а в спл:аве золота с висмутом содержание висмута долж«о быть не ниже 20«/о. Вывод с нанесенным металлом предварительно опла1вляют при температуре, превыщающей температуру эзтактики золото - висмут, а длительность оплавления выбирают таким образом, чтобы оно произошло только в поверхностном слое. После этого проводят вплавление вывода при температуре 450°С в поверхность кремния, обработан:ную соответствующим образом.

Предмет изобретения

Способ изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического вывода, легированного соответствующей примесью или покрытого Слоем металла с предварительным его оплавлением, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности контакта и осуществления

ело на крем-нии любого типа проводимости, на вывод предварительно наносят 1висмут в количест(ве не более 1 % от веса вывода.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на вывод предварительно наносят слой из

сплава золота с висмутом с содержанием висмута не -ниже 20о/о.

Похожие патенты SU174276A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ 2014
  • Ксенофонтов Олег Петрович
RU2564685C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА 2015
  • Штерн Юрий Исаакович
  • Громов Дмитрий Геннадьевич
  • Рогачев Максим Сергеевич
  • Штерн Максим Юрьевич
  • Дубков Сергей Владимирович
RU2601243C1
ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ 2009
  • Кастильо Имельда
  • Гао Ксуеронг
RU2509789C2
ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ С МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИМИ МОДИФИКАТОРАМИ 2009
  • Кастильо Имельда
  • Гао Ксуеронг
RU2499810C2
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА С МЕТАЛЛОМ 2006
  • Бланк Владимир Давыдович
  • Баграмов Рустэм Хамитович
  • Прохоров Вячеслав Максимович
RU2347651C2
СОСТАВЫ ДЛЯ ПРИПОЯ 2012
  • Де Авила Рибас, Моргана
  • Лодж, Доминик
  • Пандхер, Ранжит
  • Сингх, Бава
  • Бхаткал, Равиндра М.
  • Раут, Рахул
  • Саркар, Сиули
  • Чаттопадхиаи, Каманио
  • Нанди, Пролой
RU2627822C2
СТЕКЛЯННЫЕ ФРИТТЫ 2009
  • Пранчэк Роберт
RU2494983C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 2015
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Иванова Ольга Вениаминовна
  • Матвеев Борис Анатольевич
  • Ременный Максим Анатольевич
  • Усикова Анна Александровна
RU2647978C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА 1969
SU243740A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ 1993
  • Минеева М.А.
  • Муракаева Г.А.
RU2084988C1

Реферат патента 1965 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВвсгсц»Я11>&|1 .fFM^m^^Т*фБ:';Щ1?а(А„.

Формула изобретения SU 174 276 A1

SU 174 276 A1

Авторы

В. И. Диковский С. Б. Вихрова

Даты

1965-01-01Публикация