Известны способы изготовл«н:ия омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического, в частности золотого, вывода с добавками доноров или акцепторов или покрытого слоем металла-примвси с предварительным его оплавлением.
Предлагаемый способ изготовления омического контакта « полупроводниковым приборам отличается тем, что металлический вывод, в част1юст1И из зо.лота. предварительно покрывают слоем висмута в кол.ичестве, не превышающем IO/Q от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не иже€0о/о.
Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремвия повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию п- и р-типа проводимости.
Опособ осуществляется следующим образом.
На вывод из золотой заготовки, напр.имер, в виде проволоки ианосят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1 % от веса золотого вывода, а в спл:аве золота с висмутом содержание висмута долж«о быть не ниже 20«/о. Вывод с нанесенным металлом предварительно опла1вляют при температуре, превыщающей температуру эзтактики золото - висмут, а длительность оплавления выбирают таким образом, чтобы оно произошло только в поверхностном слое. После этого проводят вплавление вывода при температуре 450°С в поверхность кремния, обработан:ную соответствующим образом.
Предмет изобретения
Способ изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического вывода, легированного соответствующей примесью или покрытого Слоем металла с предварительным его оплавлением, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности контакта и осуществления
ело на крем-нии любого типа проводимости, на вывод предварительно наносят 1висмут в количест(ве не более 1 % от веса вывода.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на вывод предварительно наносят слой из
сплава золота с висмутом с содержанием висмута не -ниже 20о/о.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2564685C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА | 2015 |
|
RU2601243C1 |
ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ | 2009 |
|
RU2509789C2 |
ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ С МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИМИ МОДИФИКАТОРАМИ | 2009 |
|
RU2499810C2 |
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА С МЕТАЛЛОМ | 2006 |
|
RU2347651C2 |
СОСТАВЫ ДЛЯ ПРИПОЯ | 2012 |
|
RU2627822C2 |
СТЕКЛЯННЫЕ ФРИТТЫ | 2009 |
|
RU2494983C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА | 2015 |
|
RU2647978C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА | 1969 |
|
SU243740A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ | 1993 |
|
RU2084988C1 |
Авторы
Даты
1965-01-01—Публикация