Формирователь тока для доменной памяти Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

31

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в яапоминаищих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повьше ние надежности устройства ча счет улучшения формы тока.

1а чертеже представлена схема формирователя тока для доменной памяти,

Форьпгрователь тока для доменной памят; содер;гит первый, второй, третий и четвертый ключевые элементы 1-4, выполненные на транзисторах, первый 5 и BTOpoii 6 ограничительные элементы па диодах, катушку 7 поля вращетшя, пятый 8 и рлестой 9 ключевы элементы на транзисторах и третий 10 и четвертый 1 1 ог;5аничительные элементы на стабилитронах.

На чертеже показаны первый 12, второй 13, третий 14 и четвертый 15 управляюпие входы формирователя тока шина 16 источника питания с напряжением +Е и шина 17 пулевого потенциал

Формирователь тока для доменной памяти работает следующим образом.

Период поля вращения разбивается на четыре равные части. При поступлении первой последовательности импульсов iia первый управляющий вход

12 открываются ключевые элементы 1 и 2. Катушка 7 поля вращения подключается между i:;uiawi 16 и 17 питания UE и нулевого потенциала. На 1 ндук- тивности катутки 7 формируется участок нарастания тока. Падения напряжения на открытом транзисторе 2 недостаточно для отпирания стабилитрона 11 и он не атияет на формирование участка нарастания тока. Во второй четверти периода поля вращения втора последовательность импульсов, поступающая на четвертый управляющий вход 15, отпирает транзистор 9. Одновременно запираются ключи на транзисторах 1 и 2. ЭДС самоиндукции ка- тущки 7 вы 1ывает отпирание диода 5 и стабилитрона 11. Таким образом в катушке 7 формируется спадающий участок тока.

Постоянная времени спада тока определяется соотношением реактивного сопротивления катушки 7 и активного сопротикпенип цепи разряда. Напряжение на сгапилитроне 11 влияет на конечное разряда и тем

определяет длительность интервала врам€ Ни, в течение которого формт1ру- ется спадающий участок тока. При этом устраняется так называемая ступенька в форме тока и повышает0

5

5

0

0

5

0

5

0

5

ся ei o линейность в катушке 7 поля враще Ния,

В третьей четверти периода поля враще ния отпираются транзисторы 3 и 4 и в катушке 7 формируется участок нарастания тока противоположной полярности.

В четвертой четверти периода последовательность импульсов, поступающая на третий управляющий вход 14, отпирает транзистор 8, за счет ЭДС самоиндукции в катушках 7 открываются диод 6 и стабилитрон 10, Таким образом формируется спадающий участок тока.

Далее процесс формирования тока продолжается, начиная с первой четверти периода поля вращения.

Таким образом, использование пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов в качестве третьего и четвертого ограничительных элементов позволяет изменять конечные условия разряда (устаноЕившееся значение тока) и, соответственно, изменять длительность формнрования участка спада тока,, При этом устраняется ступень- II

ка 1ри переходе от участка Toiva к участку его спада, что обуславливает повышение надежности за счет расширения области устойчивой работы запоминающих устройств на ЩЩ.

Формула изобретения

Формирователь тока для доменной памяти, содержащий четыре ключевых элем знта, выполненных на транзисторах и включенных по мостовой схеме таким образом, что базы транзисторов первого и второго ключевых элементов объединены и подключены к первому управляющему входу формирователя, базы транзисторов третьего и четвертого KJH04eBbix элементов объединены и под- ключзны к второму управляющему входу формирователя, эьшттеры первого и четвертого транзисторов соединены с ШИНО11 питания, а эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, два ограничительных элемента на диодах и катушку П1ЭЛЯ врап(ения, один вывод котооой

соединен с катодом первого диода и подключен к коллекторам первого и третьего транзисторов, а другой вывод соедннен с коллекторами второго и четвертого транзисторов, к которым подключен катод второго диода, аноды первого и второго диодов связаны с шиной нулевого потенциала, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет улучшения формы тока, формирователь содержит пятый и шестой ключи на транзисторах и третий и четвертый ограничи

тельные элементы, выполненные на стабилитронах, причем первые выводы третьего и четвертого ограничительных элементов соединены с катодом соответственно первого и второго диодов, вторые выводы третьего и четвертого ограничительных элементов подключены к коллекторам соответственно пятого и шестого транзисторов, эмиттеры которых соединены с шиной нулевого потенциала, а базы подключены соответственно к третьему и четвертому управляющим входам формирователя.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД ЗУ/. Цель изобретения повышение надежности устройства за счет улучшения формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит ключевые элементы 1-4 на транзисторах, ограничительные элементы 5, 6 на диодах, катушку 7 поля вращения, ключевые элементы 8, 9 на транзисторах и ограничительные элементы 10, 11, выполненные на стабилитронах. Введение пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов позволяет изменять установившееся значение тока на участке формирования его спада и, тем самым меняя длительность спада, устранить "ступеньку" при переходе от участка нарастания к участку спада тока. Улучшение формы тока позволяет повысить надежность ЦМД ЗУ за счет увеличения области устойчивой работы. 1 ил.