Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминакнцих устройствах н цилиндрических магнитных доменах (ЦМ Известны запоминающие устройства для записи и считывания информации на ЦМД, содержащие кристалл .с нанесенным рисунком токопроводящих и магнитных аппликаций, помещенный в источник магнитного поля продвижения Tl J и 12 . Для записи и считывания информации накопитель подключен к формирователю тока управления и продвиже ния магнитных доменов Гз}. Недостатком зтих устройств является неудовлетворительное быстродей ствие при считывании информации.: . Наиболее близким по технической сущности к настоящему изобретению является запоминакицее устройство, которое, содержит накопители на ЦМД, источники магнитного поля продвиже ния, каждый из которых соединен с группой из четырех формирователей тока продвижений, и шины управления Г4 3. К недостаткам зтого устройства следует отнести значительное время выборки информации, обусловленное тем, что данные передаются и принимаются в каждый накопитель только в последовательной форме. Большая часть блоков, кроме относящихся к выбранному накопителю не работает. Цель изобретения - повышение информационной емкости и быстродействия устройства. Поставленная цель достигается тем, что в запоминакяцее устройство на цилиндрических магнитных доменах, содержащее два накопителя, два источника магнитного поля продвижения, каждый из которых связан с соответствующим накопителем, две группы формирователей тока продвижения по четыре формирователя в каждой и две группы шин управления по четыре шины в каждой, причем выходы формирователей тока продвижения первой группы соединены соответствующими входами первого источника магнитного поля продвижения, выходы формирователей тока продвижения второй группы - с соответствуюидами входами второго источника магнитного поля продвижения, а входы первых двух фор1 ирователей тока продвижения каж дои группы - с соответствующими шинами управления первой и второй груп введены дополнительный накопитель информации и связанный с ним допол нительный источник магнитного поли продвижения, две группы элементов И по четыре элемента в каждой и дополн тельная группа четырех шин управлени причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группы подключены к выходам соответствующих элементов И, первые входы элементов И первой группы подключены к соответ ствующим шинам управления первой группы, вторые входы элементов И пер вой группы и первые входы элементов И второй группы подключены к соответ ствующим шинам управления дополнительной группы, вторые входы элементов И второй группы подключень к соответствунщим шинам управления второ группы, первый и третий входы дополнительного источника магнитного поля продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входа первого источника магнитного поля продвижения, второй и четвертый входы - соответственно к первому и третьему входам второго источника магнитного поля продвижения. Кроме того, каждый формирователь тока продвижения состоит из двух последовательно соединенных ключей, шунтированных выпрямительными элемен тами. На фиг. I показано запоминающее устройство, на фиг. 2 - конструкция формирователя тока продвижения. Запоминаквцее устройство на цилинд рических магнитных доменах содержит накопители 1, источники магнитного поля продвижения с катушками 2 и 3. Одноименные входы источников магнитного поля всех накопителей включены последовательно друг другу. Точки соединения двух соседних катушек в источниках магнитного поля связаны с выходами формирователей 4 и 5 тока продвижения. Входы всех формирователей тока продвижения кроме первого 6 и 7 и последнего 8 и 9 в каждой группе, связаны с выходами элементов И 10 и 11, Входы первых формирователей 6 и 7 тока продвижения соединены с первьгми входами элементов И 10 и 11 вторых формирователей 4 и 5 тока продвижения. Вторые входы элементов И 10 и 11 второй группы соединены с первыми входами элементов И последнего формирователя и т.д. Вторые входы элементов И 10 и 11 предпоследнегоформирователя связаны со входами последнего формирователя 8 и 9. Точки соединения входов первого, последнего формирователей и элементов И каждой группы связаны с выходами блока 12 шин управления. Формирователь тока продвижения (фиг. 2) содержит ключи втекающего 13 и вытекающего 14 тока, включенные последовательно. Параллельно каждому ключу включены диоды 15 и I6 -для рекуперации энергии. Входы формирователей 17 и 18 связаны со входами ключей 13 и 14, а выход 19 со средней точкой 20 соединения 13 и 14. Сигнал с блока 12 шин управления поступает по шинам управления 21-32 одновременно на входы формирователей 6и7, 4и5, 8и9. Сигналы управления на вторых входах источников 3 магнитного поля накопителей смещены по фазе относительно сигналов управления на первых входах источников 2 магнитного поля накопителей на угол 90. Для уменьшения потребля емой мощности фазовые сигналы управления подаются со скважностью 1:4. 3to позволяет в одну четверть пери- ода заряжать одну из катушек источника магнитного поля через открытый ключ, а во вторую четверть разряжать через диод. Для сокращения времени доступа к накопителям сигнал фазового управления одновременно подается на несколько входов формирователей тока, подключающих соответствуюш 1е источники магнитного поля продвижения. Так по сигналу управления с первой фазой, приходящему, например, по шинам 21, 25, 29, подкшочаиотся катушки 2 источников магнитного поля накопителей и через них протекает ток в направлении от вывода, обозначенного точкой. 5 По сигналу управления со второй фазой, поступающему по шинам 23, 27, 31, включаются;катушки 3 источников магнитного поля во всех накопителях и одновременно отключаются катушки 2 источников магнитного поля. Запасенная магнитная энергия в катушках 2 источников магнитного поля спадает. По сигналу управления с третьей фазой, поступающему по шинам 22, 26, 30, включаются вновь катушки 2 источников магнитного поля. Ток, про текающий через указанные элементи, имеет направление, противоположное, току протекающему при воздействии сигнала с первой фазой сигнала. По сигналу управления с четвертой фазой, поступающему по шинам 24, 28, 32, вторично включаются катушки 3 источника магнитного поля и отключаются катушки 2 источника магнитного поля. Направление тока через катушки 3 источника магнитного поля реверсируется на противоположное направление. Начиная со следующей фазы сигнала управления процессы в накопителях нарастание и спадание энергии магнит ного потока - повторяются. Векторы магнитного поля в каждом накопителе описывают окружность, что и необходи мо для продвижения доменов. Источники магнитного поля соседни накопителей подключаются одновременно, поэтому продвижение доменов осуществляется одновременно. Одновременное продвижение доменов позволяет надежно выводить информацию в параллельном коде с экономией времени необходимого дпя получения нужной информации. Формула изобретения 1. Запоминазсядее устройство на цилиндрических магнитных доменах, содержащее два накопителя, два источ ника магнитного поля продвижения, кажда й из которых связан с соответствующим накопителем, две группы фор мирователей тока продвижения по четы ре формирователя в каждой и две груп пы шин управления по четыре шины в каждой, причем формирователей тока продвижения первой группы соеди нены с соответствующими входами пер вого источника магнитного поля про56движения, выходы формирователей тока продвижения второй группы - с соответствующ1л-п-г входами второго источника магнитного поля продвижения, а входы первых двух формирователей тока продвижения каждой группы - с соответствующими шинами управления пер вой и второй групп, отличающееся тем, что, с целью повышения информационной емкости и быстродействия устройства, в него введены дополнительный накопитель информации и связанный с ним дополнительный источник магнитного поля продвижения, две группы элементов И по четыре элемента в каждой и дополнительная группа четырех шин управлений, причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группы подключены к выходам соответствующих элементов И, первые входы :элементов И первой группы подключены к соответствующим шинам управления первой группы, вторые входы элементов И первой группы и первые входы элементов И второй группы подключены к соответствукнцим шинам управления дополнительной группы, вторые входы элементов И второй группы подключены к соответствующим шинам управления второй группы, первый и третий входы дополнительного источника магнитного поля продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входам первого источника магнитного поля продвижения, второй и четвертый входы - соответственно к первому и третьему входам второго источника магнитного поля продвижения, 2. Устройство по п. 1, о т-л и - чающееся тем, что каждый формирователь тока продвижения состоит из двух последовательно соединенных ключей, шунтированных выпрямительными элементами. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3952292, кл. 340-174 TF, опублик. 1975. 2.Патент США 3946373 кл. 340.174 TF, опублик. 1976. 3.Авторское свидетельство СССР № 478427, кл. Н 03 К 4/60, 1978. 4.Мэвити Уильям К. Применение ЦМД ЗУ в массовой памяти. - Электроника, 1979, 7, с. 36-43 (пр07 тотип).,

Л

877615