Корпус для доменосодержащего кристалла Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении различных узлов вычислительных машин.

Целью изобретения являет.ся повышение надежности экранирования домен- содержащего кристалла от воздействия внешних магнитных полей.

На фиг,1 показан предлагаемый кор- IQ провода. Экран 10 выполнен штампов

пус, разрез; на фиг,2 - то же, изо-- метрия; на фиг,3 - кристаллодержа- тель, до вьтолнения в нем паза; на фиг,4 - то же, перед монтажем кристалла, и расположение отрезков гиб- ких проводов внутри одной из четвертей кристаллодержатедя.

Устройство содержит кристаллодер- жатель 1 из опрессованных отрезков изолированных гибких про.водов 2, В отверстии кристаллодержателя размещен доменсодержащий кристалл 3, контактные площадки которого соединены с первыми концами проводов 2 микропроводом 4, Две катушки индуктивности 5 и 6 охватывают кристаллодержа- тель 1, Постоянные магниты 7 из маг- нитотвердого материала с клинообразными полюсны ш наконечниками 8 и диэлектрическими прокладками 9 установлены на противоположных внутренних стенках экрана, выполненного из двух чашеобразных половин 10,

На практике KifticTаллодержатель выполнен литьем под давлением, причем провода перед опрессовкой скрепляют клеящим компаундом в области опрессовки в группы из четырех отрезков проводов 2 Первыми концами в одной плоскости, а вторыми концами свободно, при этом в центральной части отрезки проводов уложены в два ряда по два провода. Использован првод типа ПЭТВ ф 0,4 мм. Общая высота рамки 1 мм,

После опрессовки в кристаллодержателе выполняют паз фрезерованием с удалением изоляции и части проводник на первых концах отрезков проводов 2 Общие габариты кристаллодержателя 10x100 - 13x13x1 мм.

Вторые концы проводов 2 выступают из фасок по углам кристаплодержателя Кристалл 3 размещают в отверстии

кристаплодержателя , закрепляя его по торцам клеящим компаундом, после чего осуществляют ультразвуковую сварку контактных площадок кристалла 3 и первых концов проводов 2. микропроводом 4, Обмотлси 5 и 6 поочередно одевают на крйстаплодержатель 1, огибая выступающие из рамки гибкие

кой из двух чашеобразных половин. После сборки на стенках экрана источника поля смещения узел кристалло- держатель - обмотки размещают между диэлектрическими прокладками 9 и пропускают вторые концы проводов 2 через угловые отверстия в экране.

Чашеобразные половины экрана скрепляют между собой сваркой или склеиванием. I Формула изобретения

Корпус для доменсодержащего кристалла, содержащий экран, в котором размещены источник вращающегося магнитного поля, выполненный в виде двух катушек индуктивности, с взаимно ортогональными витками в области

их перекрытия, источник постоянного магнитного поля смещения в ви де двух магнитов с полюсными наконечниками и кристаллодержатель, о т л .и - чающийсятем, что, с

.целью повьш1ения надежности экранирования доменсодержащего кристалла от воздействия внешних магнитных полей, кристалл:одержатель выполнен из опрессованных в форме квадрата гиб- i ких проводов с отверстием в центральной области, подобным по форме доменсодержалцему кристаллу, со свободными концами по углам, продольным пазом, глубина которого равна половине удвоенной толщине доменсодержащего кристалла, по углам кристаплодержа- теля выполнены продольные фаски, а экран выполнен в виде двух чашеобразных половин-с продольными по высоте отверстиями в углах половин, причем свобод1-1ые концы проводов и концы обмоток катушек индуктивности размещены симметрично в отверстиях экрана.

сриг.2

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Цель изобретения - повьш1ение надежности экранирования доменсодержашего кристалла от воздействия внешних магнитных полей. Изобретет1е содержит кристалло- держатель 1 из опрессованньк отрезков изолированных гибких проводов 2. В отверстии кристаллодержателя размещен доменсодержащий кристалл 3, контактные площадки которого соединены с первыми кондами проводов 2 микропроводом 4. Две катущки индуктивности 5 и 6 охватывают кристаллодержа- тель 1. Постоянные магниты 7 из маг- нитотвердого материала с клинообразными полюсными наконечниками 8 и диэлектрически п1 прокладками 9 установлены на противоположных внутренних стенках экрана, выполненного из двух чашеобразных половин 10. 4 ил. i (Л со оо со 05 СП ел Ю

Фиг.З

ФигЛ