Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосных материалах Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

23-150°С для эпитаксиальнсэй феррит-гранатовой пленки состава (BiT)-,, (FeGa)50ir| . Решетка R,, сформированная посредством использования суперпозиции двух магнитных полей Н.ц и Н, направленных вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) доменосодержащего материала при , при нагревании стабильно существует лишь до 60°С (участок R на фиг.1). Далее, в узком температурном интервале происходит решетки на блоки, сохраняющие первоначальную структуру и страйп-структуру между ними.

При формировании указанньами действиями при 60°С образующаяся ЦМД-решетка Rrj имеет меньшую постоянную решетки а при меньших диаметрах ЦМД. Эта решетка статически стабильна в интервале температур от 23 до , при которой происходит ее распад на блоки.

При формировании указанным способом при образующаяся ЦМД-решетка имеет меньшие значения q и d и статически стабильна в интервале температур, включающем снизу весь интервал температур от 23 до 135°С (участок R,, на фиг.1). При 135°С решетка. R также начинает распадаться на блоки.

При формировании решетки R при температуре выше 136°С параметры а и d имеют минимальное значение для пленки данного состава в интервале температур 23-150°С (участок R/ на фиг.1).

При понижении температуры решетки ЦМД, сформированное при повышенных температурах, остаются статически температурно устойчивыми, в том числе и при проведении циклического нагрева и охлаждения.

Из сравнения параметров видно, что решетка доменов, сформированная при наибольшей температуре (), имеет постоянную решетки q на 35% меньше, а количество доменов, приходящихся на единицу площади, в 2,4 раза больше, чем решетка, сформированная при 23°С. Температурный диапазон статической стабильности для решетки сформированной при 136°С, наибольший из всех остсшьных.

Количество точек распада Тр и их конкретное температурное значение зависит от состава доменосодержащего материала и может быть более одной. При этом характер процесса не изменяется.

Пример. Решетка формируется воздействием суперпозиции постоянного магнитного поля, меньшего поля коллапса, и импульсного магнитного поля, коллениарных относительно оси легкого намагничивания ферритгранатовой пленки состава (1,6 Sm5,4 ®4,8 ч,г )°-11 периодом страйп-структуры мк, причем амплитудное значение поля превышает значение поля коллапса ЦМД при температуре, близкой к температуре Нееля. Для данного материала темпераJJ тура Нееля составляет 17 .

На фиг.2 и в таблице приведены значения температурного диапазона устойчивого существования решетки, постоянной решетки а и диаметра домена d для решеток, сформированных при разных температурах. Видно, что и в этом случае область температурной стабильности и плотность решетки возрастают соответственно в три и в два раза.

Использование предложенного способа формирования решетки ЦМД позволяет повысить плотность записи информации, представленной ЦМД, за счет получения наименьшего значения диаметра ЦМД при наименьшей постоянной решетки. Это, в свою очередь, позволяет либо использовать меньшую площадь кристалла, что дает уменьшение энергозатрат, а также массы устройства для опеределенной емкости

5 устройства, либо увеличить емкость устройства при неизменной площади кристалла.

Кроме того, увеличение температурного диапазона статической устойQ чивости решетки позволяет расширить температурный диапазон работы устройств, использующих доменные решетки.

Формула изобретения

Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосных материалах, основанный на воздействии на магнитоодноосный

материал суперпозиции постоянного и импульсного магнитных полей, направленных коллениарно оси легкого намагничивания магнитоодноосного материала, отличающийся тем,

что, с целью расширения температурного диапазона статической устойчивости решетки цилиндрических магнитных доменов и увеличения плотности ее упаковки, воздействие импульсным магнитным полем осуществляют при температуре . где Т ( - температура Нееля магнитоодноосного материала; Тр - ближайшая к температуре Нееля температура распада решетки, сформированной при более низкой температуре.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США 4028685, кл. 340174, опублик. 1979.

2.Phi6. Mag., V. 27, 1973, p. 586 (прототип).