Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах Советский патент 1987 года по МПК G01N25/02 

Изобретсч1ие относится к физико- химическому анализу и может быть ис- пользопано при создании и прогмозиро- влнии свойств сегнетоэлектриков в области температур их фазопых превращений .

Целью изобретения является упрощение и повышение точности определения.

Способ осущестшшется следуюгц м образом.

Образец помещают в термостат (или криостат), включают программное регулирующее устройство, обеспечивающее требуемую постоянную скорость нагрева (или охлаждения)и регистрируют температурную зависимость низкочастотного тангенса угла диэлектрических потерь tgcj , проходящую через пик вблизи точ- ки Кюри Т. Затем эту операцию повторяют два или более раз при различных скоростях нагрева (или охлаждения) Т. Для определения рода фазового перехода сравнивают величины пиков на кривых tg((T), снятых при разных Т. Если высоты пиков разнятся, то переход 1-го рода, а если не отличаются друг от друга - то 2-го рода.

Тип фазового превращения определяют также из зависимости tgdXT) по величине скачка параметра перехода (спонтанной поляризации Р) в точке фазового перехода, определенной по параметрам пика tg(/ (его высоте , ширине ijT, положению на темСоставитель С. Беловодченко Редактор Н. Егорова Техред Л.Сердюкова Корректор Л. Обручар

.„.„ ™-.--.- , «.-..... -.- - - - - - -- - - -. --.-.-.-

Заказ 4817/45 Тираж 776Подписное

ВНИИГШ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

пературной оси Т ) и скорости изменения температуры Т по формуле

Р -

Тм-аЗ- tgcfn а Т i /r 3 -Т

где К- константа Больцмана;

W - частота измерительного электрического поля;

- диэлектрическая проницаемость;/ь - эффективное значение объема

зародыша новой фазы. Значение Р О отвечает фазовому переходу 1-го рода, а Р О - фазовому переходу 2-го рода.

Формула изобретения

Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлект- рических кристаллах, заключающийся в равномерном нагреве исследуемого

образца в области температур фазового превращения, измерении скорости нагрева, зависимости изменения объемных свойств образца от температуры и определении по ней искомой величины,

отличающийся тем, что, с целью упрощения и повьш1ения точности определения, измеряют температурную зависимость низкочастотных диэлектрических потерь tgcT и определяют искомую величину по зависимости высоты пика tg сС от скорости нагрева .

Изобретение относится к области структурно-чувствительных методов физико-химического анализа и может быть использовано для определения типа фазового превращения в лабораторной практике при создании и отработке новых сегнетоэлектрических материалов с комплексом наперед заданных свойств. Упрощение и повьшение точности определения типа фазового превращения в кристаллических твердых телах достигаются тем, что проводят несколько последовательных измерений низкочастотных диэлектрических потерь с различными скоростями нагревания образца в окрестности точки фазового перехода. i (Л со 4 СО оо to О)