1
Изобретение относится к физико- химическому анализу фазовых превращений (ФП) в кристаллических твердых телах и может быть использовано при создании новых материалов в изучении их свойств в окрестности ФП, в частности, в ферроиках: сегнетоэлектри- ках, сегнетоэластиках, ферромагнетиках.
Целью изобретения является повышение информативности способа и уменьшение его трудоемкости
Способ осуществляют следующим образом.
Исследуемый образец закрепляют в цанговых зажимах и помещают в центре герметичности измерительной каметы Один из цанговых зажимов закреплен неподвижно, а другой через скручивающий стержень соединен с инерционной системой маятника. С помощью электромагнитных датчиков создают внешнее механическое напряжение, приложенное к подвижной части крутильного маятника, и возбуждают низкочастотные крутильные колебания маятника. Затем возбуждающее напряжение отключают от датчиков и образец вместе с маятниковой системой совершает свободные затухающие колебания частотой СО, логарифмический декремент которых измеряется электромеханическим счетчиком колебаний, а период колебаний Q вычисляют по формуле
Јь
00
о ел
-U
1
1 , А,
-ты 1птг
где А, и А2 - уровни дискриминации; N - число колебаний, соответствующее изменению амплитуды от А до А4.
Уровни дискриминации А, и Аг выбирают такими, чтобы ln(A,/Aj)T, тогда (f el/N,, .
Далее включают программное регулирующее устройство, обеспечивающее требуемую скорость нагрева, и при амплитуде деформации хм регистрирую температурную зависимость , про- ходящую через максимум вблизи точки ФП. Затем образец охлаждают, после чего вновь нагревают с той же скоростью нагрева, но при другой амплитуде деформации х«2, и регистрируют зависимость (Т). Для определения типа структурного «Ml в исследуемом образце сравнивают величины пиков на кривых (Т) , снятых при разных xw которые увеличиваются с ростом при собственном ФП и уменьшаются с ростом несобственном ФП.
Таким образгэм, ряд последовательных измерений Q (Т) в исследуемом
0
5
кристалле .позволяет определить тип структурного ФП„
Формула изобретения
Способ определения типа фазового превращения в кристаллах, заключающийся в равномерном нагреве исследуемого образца в области температур вблизи точки фазового превращения и измерении температурной зависимости низкочастотного внутреннего трения, отличающий ся тем, что, с целью повышения информативности способа и уменьшения его трудоемкости, проводят несколько последовательных измерений температурной зависимости внутреннего трения при постоянной скорости нагрева и разных амплитудах деформации образца, тип фазового превращения определяют по зависимости высоты пика внутреннего трения от амплитуды деформации.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ определения типа фазового превращения в твердых кристаллах | 1984 |
|
SU1233021A1 |
СПОСОБ ЭКСПРЕСС-ОЦЕНКИ МОРОЗОСТОЙКОСТИ РАСТИТЕЛЬНОЙ ТКАНИ ПЛОДОВЫХ И ЯГОДНЫХ КУЛЬТУР | 2005 |
|
RU2295852C2 |
Устройство для измерения внутреннего трения в диапазоне инфранизких частот | 1982 |
|
SU1041914A1 |
Способ определения фазовых переходов в полимерах | 1990 |
|
SU1727048A1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И СПЛАВАХ | 1971 |
|
SU313143A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЯ ДЕТАЛИ | 1999 |
|
RU2194248C2 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГРАНИЦ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ПОЛИМЕРАХ | 1991 |
|
RU2104515C1 |
Способ анализа эволюции нановключений в тонкопленочных нанокомпозитах | 2022 |
|
RU2798708C1 |
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2014 |
|
RU2568963C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СВОБОДНО ЗАТУХАЮЩИХ КОЛЕБАНИЙ КРУТИЛЬНОГО МАЯТНИКА | 2009 |
|
RU2435147C2 |
Изобретение относится к физико-химическому анализу ,в частности, к способу определения типа фазового превращения в кристаллах. Цель изобретения - повышение информативности способа и уменьшение его трудоемкости. Измеряют температурную зависимость низкочастотного внутреннего трения при постоянной скорости нагрева и разных амплитудах деформации образца. Тип фазового превращения определяют по зависимости и высоты пика внутреннего трения от амплитуды деформации.
Редактор А. Шандор
Составитель С. Велов одченко
Техред М.Дидык Корректор М. Васильева
Заказ 2680/44
Тираж 790
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101
Подписное
Анисимова В„Н„, Баранов А„Ио, Гриднев С„Ао и дро Сравнение чувствительности кристалла КН,(5еОэ)4 к воздействию рентгеновского и у-излучений | |||
-Кристаллография, 1982, т | |||
Прибор с двумя призмами | 1917 |
|
SU27A1 |
Аппарат с подвижным профилем железнодорожного пути | 1922 |
|
SU800A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1989-05-23—Публикация
1986-11-19—Подача