СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-ПРИБОРОВ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/316

Похожие патенты SU1345967A1

название	год	авторы	номер документа
СВЕТОПРОНИЦАЕМЫЙ МАТЕРИАЛ	1999	Резниченко С.В. Пуздрашонкова Т.И. Копецкий С.Ю.	RU2155199C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА	2011	Мустафаев Гасан Абакарович Мустафаев Абдулла Гасанович Мустафаев Арслан Гасанович	RU2506660C2
СОЕДИНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И КОРПУС ДЛЯ ОТПИРАЕМОГО СВЕТОМ ТИРИСТОРА	2001	Якобитц Йохен Хюггинг Элизабет Кизеветтер Хельмут Бауер Вольфганг Матес Виланд	RU2273619C2
Антибликовый экран на основе силикатного стекла, антибликовое и антибликовое электрообогревное покрытия для него	2018	Каблов Евгений Николаевич Мельников Андрей Андреевич Соловьянчик Людмила Владимировна	RU2685887C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ МЕЗОПОРИСТОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ В ПРИСУТСТВИИ СИНЕРГИЧЕСКОЙ БИНАРНОЙ СИСТЕМЫ: НЕИОНОГЕННОЕ ПАВ-ОЛИГОЭФИРЫ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ЭТИЛЕНА ИЛИ ОКИСИ ПРОПИЛЕНА	2010	Троицкий Борис Борисович Денисова Валентина Николаевна Новикова Мария Александровна Лопатина Татьяна Ивановна Лопатин Михаил Александрович Хохлова Людмила Васильевна	RU2466948C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С МНОГОУРОВНЕВОЙ РАЗВОДКОЙ	1992	Скороходов В.Д.	RU2012096C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА С УПРОЧНЯЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ	2013	Еськин Станислав Викторович Жималов Алекандр Борисович Кособудский Игорь Донатович Ушаков Николай Михайлович	RU2529071C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ МЕЗОПОРИСТОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ В ПРИСУТСТВИИ НЕКОТОРЫХ ПОЛИМЕРОВ, СТАТИЧЕСКИХ СОПОЛИМЕРОВ	2007	Троицкий Борис Борисович Лопатин Михаил Александрович Денисова Валентина Николаевна Новикова Мария Александровна Хохлова Людмила Васильевна	RU2371399C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ МЕЗОПОРИСТОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ В ПРИСУТСТВИИ ОРГАНИЧЕСКИХ КИСЛОТ, ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПРОИЗВОДНЫХ ОРГАНИЧЕСКИХ КИСЛОТ, СЛОЖНЫХ ЭФИРОВ ОРГАНИЧЕСКИХ КИСЛОТ	2007	Троицкий Борис Борисович Бабин Алексей Александрович Лопатин Михаил Александрович Денисова Валентина Николаевна Новикова Мария Александровна Мамаев Юрий Анатольевич Хохлова Людмила Васильевна	RU2368575C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ P-I-N ДИОДОВ ГРУППОВЫМ МЕТОДОМ (ВАРИАНТЫ)	2009	Филатов Михаил Юрьевич Белотелов Сергей Владимирович Быкова Светлана Сергеевна Абдуллаев Олег Рауфович Айриян Юрий Аршакович	RU2393583C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-ПРИБОРОВ

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10^-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10^-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.

SU 1 345 967 A1

Авторы

Румак Н.В.

Хатько В.В.

Беневоленский А.В.

Костюченко Н.Е.

Канищев А.Ф.

Даты

2012-06-27—Публикация

1986-02-19—Подача