Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов Советский патент 1961 года по МПК H01L35/34 H01L35/08 

Известные способы коммутации полупроводниковых термоэлементов с помощью висмута, олова, никеля, сурьмы и сплавов на основе этих элементов требуют для нагрева высокой температуры (до 180-20Q), что вредно отражается на качестве термоэлементов. Кроме того, сопротивления переходных контактов могут достигать значительной части величины общего сопротивления термоэлементов, что снижает эффекти-зность их действия.

Для снижения электрического сопротивления в местах соединения иетвей термоэлемента с металлическими пластинками предлагается 5 качестве припоя применять сплав индий-галий жидкой эвтектики.

Элементы индий и галий, взятые в количестве 16,5% галия и 83,5% индия, образуют ряд твердых )астворов и эвтектическую точку с температурой плавления +15,7

Расплавленный сплав индий-галий имеет хорошую смачиваемость; поэтому его можно применять для облуживания материалов, используемых в настоящее время для изготовления термоэлементов. Образующаяся при этом пленка имеет сопротивление порядка ом/см. Облуживание производится при комнатной температуре без прогрева, ч го очень важно при применении термоэлементов в холодильных установках.

При использовании сплава индий-галий для коммутации термогенераторных пар, работающих при температуре 300-400, получается прочный контакт коммутируемых элементов и омическое сопротивление термоэлемента при этом не меняется. Кроме того, коммутация термоэлементов сплавом индий-галий значительно увеличивает срок их службы.

Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов путем припаивания термоэлементов к соединительным металлическим пластинкам, отличающийся тем, что, с целью снижения электрического сопротивления в местах контакта ветвей термоэлемента с металлическими пластинками, в качестве припоя применяют сплав индий-галий жидкой эвтектики.

Предмет изобретения