Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках Советский патент 1989 года по МПК H01F41/14 

HoiiiPinu ,,)Ч11ОИ нпмагииченис сти к и; ь;;1 гиич(Ч1И(и:ти насыщения T,j/Tj 0,2f, По.пучонная плеикл защищена cJIoe 11Г1Лпленного кварца толщиной Л. В качеетве материала подлож- ;п выбран кварц. Кварц - немагнитный м,чтери;и1, что является необходим1 1М греГк11,чннем к нодложкам для ТФП. Его коррозионная стойкость, механическая iipo4Hf)CTb н нзносостойкость обеспе- чивакгс Б||1сокпе экснлуатацнонные ха- рякте11игтики. Было экспериментально устано1У ен11, что при имнлантации KnaimcHofi пс дложки iioHahm магнитных илементо) удается создать тонкую фер- .iai-HHTHyi(i пленку (ТФП).

Бь ло

установлено также, что при

-.46

дозах имплантации меньше ион/см20

Tf in но обуктчуется, так как в этом случае размер прс цинитатов металла меньше критического размера однодо- менности и частицы являются сунерпа- рамагнятными во всем частотном диапа- зоне. 11о:зтому минимальная доза им плантации выбрана равной ион/см При дальнейшем увеличении дозы происходит увеличение размеров частиц ме

тплла и формирование ТФП. Однако при дозах более 1010 ион/см существен- 1гым становится явление распыления защитного поверхностного слоя подложки, приводящее к тому,что часть преципитатов металла выходит на поверхность. Это ухудигает химическую стойкость пленки. Поэтому верхней граничной до- и mлanтaции выбрана iO ион/см .

Редакто П.Тимонина Техред Л.Сердюкова

Заказ 6799Тираж 69АПодписное

Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЮ1Т СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. А/5

Пр.чг волственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101

IInoTFioc:Tb тока j в ионном нучке при заданн(и 1 доте определяет время облучения и температуру подложки при

ее радиационном нагреве. В процессе такого нагрева образующиеся микрочастицы металла могут окисляться, что будет препятствовать формированию ТФП. В связи с этим была выбрана максимальная величина ион/см-с,

при которой температура образца не превышает . Ионная бомбардировка с малой плотностью ионного тока практически не сказывается на магнитных характеристиках ТФП. Однако при этом для достижения необходимой дозы необоснованно увеличивается время облучения, поэтому велиffj

чину J меньше 6-10 ион/см с нецеТаким образом, данньй способ позволяет получать ферромагнитную пленку, защищенную от внешних воздействий, которую можно использовать в широком частотном диапазоне.

Формула изобретения

Способ получения ферромагнитной пленки на твердотельных подложках путем бомбардировки быстрыми ионами переходных элементов группы железа, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазо- на ферромагнитной пленки, в качестве подложки используют кварц и облучают ее при плотностях ионного тока 6 « « 10 -9 Ю ион/см. с и дозах 10-10 ион/см

Корректор М.Пожо

Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок, и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ. Цель изобретения - расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Пример. Для получения магнитной пленки на основе железа подложку в виде плавленного кварца марки КИ, полированную с двух сторон, бомбардируют на ускорителе ИЛУ-3 ионами е с энергией кэВ, дозой 8 X 10 Fe VCM при плотности тока ионов создании регистрирующих сред для записи магнитной и магнитооптической информации. Целью изобретения является расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Изобретение позволяет формировать в твердотельной подложке на заданной глубине ферромагнитную пленку, которую можно использовать в широком частотном диапазоне при создании быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ, приборов СЕЧ в планарных линиях: фазовращатели, СВЧ-ключи и т.д. Это достигается тем, что твердотельную подложку из кварца бомбардируют быстрыми ионами переходных элементов группы железа при плотностях ионного тока - ион/см с и дозах имплантации -Ю -10-1 О ион/см § (Л . с. Температура радиационного нагрева не превьплала 65 С. Методами ядерного гамма-резонанса, оптической спектроскопии было подтверждено образование ферромагнитной островковой пленки металлического oi- Fe. Данные ферромагнитного резонанса показали, что толщина частиц составляет окола 300-400 А, их диаметр 500-700 А, коэффициент заполнения по площади образца около 0,2. Вектор намагниченности лежит преимущественно в плоскости пленки. Из снятых петель гистерезиса на частоте 75 Гц вычислены величина коэрцитивной силы Э, намагниченность на- сьщения 1, 1,47-10 Гс-см /см и от00 4 00 со