Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин.
Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III).
П р и м е р 1. Проводят выявление микродефектов в пластинах кремния КЭС 0,01 с ориентацией (III) с целью контроля плотности и характера распределения кластеров точечных дефектов в пластинах кремния, используемых в качестве подложек для эпитаксиального наращивания. Для этого приготавливают травитель следующего состава, мас.%: фтористый водород 1-2, хромовый ангидрид 1-10, вода 88-98 (1-10 г СrO3 растворяют в 87-95 мл Н2О и в полученный состав добавляют 2,0-4,5 мл плавиковой кислоты). Полученный состав во фторопластовой чашке нагревают на плитке. Когда состав начинает кипеть, осуществляют травление контролируемых образцов: пластины в горизонтальном состоянии рабочей поверхностью вверх погружают на 2-5 мин в травитель, затем пластины погружают в проточную деионизованную воду. После промывки (2-3 мин) пластины осушают фильтрами, затем просматривают сначала визуально, потом под микроскопом при увеличении ≈ 260х и подсчитывают плотность фигур травления.
П р и м е р 2. Выявляют микродефекты в эпитаксиальных структурах 
с ориентацией (III). Для этого изготавливают травители, как в примере 1. Травление и последующую обработку пластин проводят аналогично травлению и промывке в примере 1.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ | 1989 |
|
RU1639341C |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ ГЕТТЕРОМ | 1990 |
|
SU1797403A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" | 2000 |
|
RU2193256C2 |
| СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ | 1996 |
|
RU2120683C1 |
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК | 2000 |
|
RU2172537C1 |
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 2004 |
|
RU2281582C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" | 1998 |
|
RU2139595C1 |
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ | 1997 |
|
RU2134467C1 |
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК | 1996 |
|
RU2110115C1 |
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 1996 |
|
RU2119693C1 |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III). Способ заключается в следующем. Выявление микродефектов в пластинах кремния или в эпитаксиальных структурах на кремнии проводят путем травления в кипящем травителе состава, мас.%: фтористый водород 1 - 2, хромовый ангидрид 1 - 10, вода от 88 - 98 в течение 2 - 5 мин.
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:
Фтористый водород 1 - 2
Хромовый ангидрид 1 - 10
Вода 88 - 98
причем время травления составляет от 2 до 5 мин.
| Авторское свидетельство СССР N 517956,кл | |||
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
