Один из наиболее распространенных снособов получения р-п перехода для кремниевых диодов с использованием диффузии алюминия в кремний заключается в том, что на поверхности кремния создается слой, содержащий значительное количество донорной примеси, который затем сплавляется с кремнием. Удобной донорной примесью с помощью которой на кремнии п-типа можно получить р-п переход, является алюминий, наносимый на пластину из кремния испарением в ваккуме с последующей диффузией его в кремний при температуре 1200°. При применении такого способа вследствие возможности реакции алюминия с кварцем трудно добиться однозначных результатов. Поэтому для получения р-п перехода с использованием диффузии алюминия в кремний сплавляются пластины кремния п- и р-типов и только после этого производится диффузионный нагрев. Таким образом достигается однозначность результатов, но усложняется технологический процесс получения р-п перехода.
Для упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700-SOO.
Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35- 0,45 мм покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700-800°. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакуу.ме слой алюминия толщиной 1-3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5-7 мк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700-800°, выдерживается при этой температуре в течение 1 час и затем охлаждается до комнатной температуры. После этого пластинка
№ 136476
извлекается из вакуумной печи и производится ее диффузионный нагрев в течение 6-8 час в атмосфере воздуха при температуре 1200-1300° и слой сплава кремния с алюминием удаляется путем шлифовки. Затем на поверхность наносится никель и производится золочение.
Предмет изобретения
Способ получения р-п нерехода для кремниевых диодов, заключающийся в том, что на пластинку кремния п-типа испарением в вакууме наносят алюминиевый слой, из которого затем при температуре 1200 производится диффузия алюминия в кремний, о т лИ ч а ю щи и с я тем, что, с целью упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости, перед испарением в вакууме пластинку из кремния предварительно нагревают до 700-800°.
