Известны способы получения р-п-переходов на кремний п-тила путем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в виде 2%-него раствора борной кислоты, и последующего нагрева пластины при температуре 1300° в течение 30-40 час.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10-16 час и упростить технологию получения р-п-переходов- Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.
При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700-800° вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью пульверизатора наносят 2%-ный раствор борной кислоты, после чего проводят диффузионный отжиг пластины в течение 10- 16 час в атмосфере воздуха при температуре 1200-1300°. Слой сплава кремния с алюминием удаляют шлифовкой.
Предлагаемый способ позволяет получить слой кремния «-типа на глубине порядка 50-70|х, что дает возможность увеличить допуски на щлифовку при удалении слоя сплава кремния с алюминием и исключает необходимость контроля ловерхностной проводимости после шлифовки. Время процесса диффузии примеси сокращается с 30-40 час до 10-16 час.
Предмет изобретения
Способ получения р-п-переходов на кремнии л-типа путем диффузии бора, отл и ч а ющи йен тем, что, с целью сокращения времени процесса диффузии примеси до 10-16 час и упрощения технологии получения р-я-переходов, в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов | 1960 |
|
SU136476A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ШОТТКИ-pn ДИОДОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2009 |
|
RU2395868C1 |
Способ формирования изолированных внутренних областей | 1989 |
|
SU1715124A1 |
Способ изготовления @ - @ - @ - @ -структур | 1978 |
|
SU686556A1 |
Раствор для получения поверхностного источника диффузии | 1980 |
|
SU936743A1 |
ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИЙ РАСТВОР ДЛЯ ДИФФУЗИИ БОРА | 2012 |
|
RU2615134C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1982 |
|
SU1101081A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРА КОРОТКОПРОБЕЖНЫХ ЧАСТИЦ | 2008 |
|
RU2378738C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕНСОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2014 |
|
RU2575939C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНОГО КОНТАКТА К КРЕМНИЮ | 1993 |
|
RU2065226C1 |
Авторы
Даты
1962-01-01—Публикация
1962-01-08—Подача