Способ получения р-п переходов Советский патент 1962 года по МПК H01L21/24 

Описание патента на изобретение SU152033A1

Известны способы получения р-п-переходов на кремний п-тила путем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в виде 2%-него раствора борной кислоты, и последующего нагрева пластины при температуре 1300° в течение 30-40 час.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10-16 час и упростить технологию получения р-п-переходов- Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.

При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700-800° вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью пульверизатора наносят 2%-ный раствор борной кислоты, после чего проводят диффузионный отжиг пластины в течение 10- 16 час в атмосфере воздуха при температуре 1200-1300°. Слой сплава кремния с алюминием удаляют шлифовкой.

Предлагаемый способ позволяет получить слой кремния «-типа на глубине порядка 50-70|х, что дает возможность увеличить допуски на щлифовку при удалении слоя сплава кремния с алюминием и исключает необходимость контроля ловерхностной проводимости после шлифовки. Время процесса диффузии примеси сокращается с 30-40 час до 10-16 час.

Предмет изобретения

Способ получения р-п-переходов на кремнии л-типа путем диффузии бора, отл и ч а ющи йен тем, что, с целью сокращения времени процесса диффузии примеси до 10-16 час и упрощения технологии получения р-я-переходов, в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.

Похожие патенты SU152033A1

название год авторы номер документа
Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов 1960
  • Варданян В.И.
  • Дробышев Е.П.
  • Зеликман Г.А.
  • Лукашева И.П.
  • Соловьева Р.Г.
  • Тодорова Г.И.
  • Шкуропат И.Г.
SU136476A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ШОТТКИ-pn ДИОДОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ 2009
  • Грехов Игорь Всеволодович
  • Иванов Павел Анатольевич
  • Потапов Александр Сергеевич
  • Самсонова Татьяна Павловна
  • Коньков Олег Игоревич
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
RU2395868C1
Способ формирования изолированных внутренних областей 1989
  • Думаневич А.Н.
  • Нисневич Я.Д.
SU1715124A1
Способ изготовления @ - @ - @ - @ -структур 1978
  • Соболев Н.А.
  • Шек Е.И.
SU686556A1
Раствор для получения поверхностного источника диффузии 1980
  • Нисневич Я.Д.
  • Чернова Л.Е.
  • Колоскова Л.Н.
  • Локтаев Ю.М.
  • Пайвель В.М.
  • Шицель М.Л.
SU936743A1
ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИЙ РАСТВОР ДЛЯ ДИФФУЗИИ БОРА 2012
  • Цукигата Синтароу
  • Мацуока Тосифуми
  • Ватабе Такенори
  • Оцука Хироюки
RU2615134C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1982
  • Кремнев А.А.
SU1101081A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРА КОРОТКОПРОБЕЖНЫХ ЧАСТИЦ 2008
  • Еремин Владимир Константинович
  • Вербицкая Елена Михайловна
  • Еремин Игорь Владимирович
  • Тубольцев Юрий Владимирович
  • Егоров Николай Николаевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Коньков Константин Анатольевич
RU2378738C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕНСОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2014
  • Елин Владимир Александрович
  • Меркин Михаил Моисеевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Литош Любовь Григорьевна
  • Русина Вера Анатольевна
RU2575939C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНОГО КОНТАКТА К КРЕМНИЮ 1993
  • Чистяков В.В.
  • Зимин С.П.
  • Винке А.Л.
RU2065226C1

Реферат патента 1962 года Способ получения р-п переходов

Формула изобретения SU 152 033 A1

SU 152 033 A1

Авторы

Зеликман Г.А.

Лукашова И.П.

Цитовский И.Л.

Даты

1962-01-01Публикация

1962-01-08Подача