ОсуществленИе способа получения монокристаллов карбидов кремния кристаллизацией из расплава кремния затрудняется отсутствием подходящего материала тигля для расплавления кремния. Кварцевые тигли при перегреве, необходимом для выращивания монокристаллов карбида кремния, размягчаются, что вызывает выбросы кремния; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний.
Описываемый способ подготовки графитового тигля позволяет использовать последний для выращивания монокристаллов карбида кремния. Сущность способа заключается в том, что графитовый тигель подвергают нагреву до 1000-1200° в атмосфере предельных углеводородов, например в атмосфере гептана, в результате чего повер.хность тигля и внутри и снаружи покрывается пироуглеродом, что повышает стойкость тигля.
Предмет изобретения
Графитовый тигель для получения монокристаллоВ карбида кремния путем выращивания из расплава кремния, отличающийся тем, что, с целью повыщения стойкости тигля, его подвергают нагреву при 1000-1200° в атмосфере предельных углеводородов, например в гептане.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ выращивания монокристаллов карбида кремния | 1960 |
|
SU136328A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC | 2017 |
|
RU2671349C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2011 |
|
RU2472875C1 |
Способ получения монокристаллического SiC | 2023 |
|
RU2811353C1 |
СПОСОБ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ МЕТАЛЛОВ ГРУППЫ IIA | 2009 |
|
RU2421552C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2007 |
|
RU2342473C1 |
Способ получения монокристаллического SiC | 2021 |
|
RU2761199C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ХЛОРИДА ИЛИ БРОМИДА, ИЛИ ЙОДИДА РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО МЕТАЛЛА В УГЛЕРОДСОДЕРЖАЩЕМ ТИГЛЕ | 2003 |
|
RU2324021C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2018 |
|
RU2663130C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2003 |
|
RU2241079C1 |
Авторы
Даты
1961-01-01—Публикация
1960-02-16—Подача