Способ выращивания монокристаллов карбида кремния Советский патент 1961 года по МПК C30B9/06 C30B29/36 

Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния з атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыи енногозглеродом при пересыпдении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава.

С целью получения более чистых и совершенных монокристаллов карбида кремния предлагается способ их выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме при постоянной температуре расплава 1600 (вместо 2500 в известном способе) . Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический кремний загружают в графитовый тигель, покрытый пироуглеродом и помещают последний в герметичную камеру, снабл енную танталовым нагревателем.

Затем в камере создают вакуум и включают обогрев. При нагрезе расплава до 1600° и диаметре тигля 20 мм одна треть кремния испаряется за два часа. Охлаждение расплава после выдержки при 1600 производят быстро со скоростью 100-200° в минуту. Полученные таким способом кристаллы карбида кремния яьляются более совершенными и чистыми, 1,ем при плавке в атмосфере аргона.

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния из раствора углерода в расплавленном кремнии, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пересыщение раствора.