ЛАЗЕР С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ Советский патент 1996 года по МПК H01S3/18 

Описание патента на изобретение SU1378740A1

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС), а также в системах оптической обработки информации.

Целью изобретения является уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции.

На чертеже представлена конструкция лазера с периодической структурой. Лазер содержит подложку 1 из р+-СаАs, двойную гетероструктуру (ДГС), включающую слои 2 из р-Gа1-x Al2As, 3 из р-GаАs и 4 из n-Gа1-у,• АlуАs, первый дополнительный полупроводниковый слой 5 из n-GаАs толщиной 0,3 мкм с концентрацией примесей 1,5•1017 см-3, монокристаллический изолирующий слой 6 из Gа1-2Al2As: O толщиной 0,2 мкм, второй дополнительный полупроводниковый слой 7 из n GаАs толщиной 0,15 мкм с концентрацией легирующей примеси 1,5•10 см-3, электроды в виде барьеров Шоттки 8, выполненные в канавках 9 глубиной 0,3 мкм, расположенных на расстояниях, обеспечивающих фазовую синхронизацию излучения (d ≅ 610 мкм), и омические контакты 10.

Работа лазера осуществляется следующим образом. На подложку 1 и области омических контактов 10 подается инжектирующее напряжение (плюс на подложку), а управление током, протекающим через активные области, осуществляется посредством модуляции проводимости каналов транзисторных областей путем подачи на электроды 8 управляющих напряжений, фазовые соотношения между которыми формируют диаграмму направленности решетки. Субмикронная длина каналов и полевое управление обеспечивают быстродействие в непичковом режиме порядка пяти гигагерц.

Предлагаемый мощный лазер обеспечивает рабочую полосу частот порядка 5ГГц и позволяет выполнить излучатель и схемы обрамления в одном кристалле. Возможность управления диаграммой направленности позволяет при решении ряда задач, связанных с оптической обработкой информации, обойтись без дефлекторов излучения.

Похожие патенты SU1378740A1

название год авторы номер документа
ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ 1986
  • Артамонов М.М.
  • Полторацкий Э.А.
  • Жуков Н.Д.
  • Иванютин Л.А.
  • Минаждинов М.М.
  • Афанасьев А.К.
  • Ильичев Э.А.
  • Шелюхин Е.Ю.
  • Алавердян С.А.
  • Инкин В.Н.
SU1391424A1
ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ 1986
  • Артамонов М.М.
  • Полторацкий Э.А.
  • Ильичев Э.А.
  • Инкин В.Н.
  • Алавердян С.А.
  • Шелюхин Е.Ю.
SU1393291A1
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1985
  • Ильичев Э.А.
  • Полторацкий Э.А.
SU1284439A1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ) 1984
SU1153769A1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1984
  • Ильичев Э.А.
  • Маслобоев Ю.П.
  • Полторацкий Э.А.
  • Родионов А.В.
  • Слепнев Ю.В.
SU1153768A1
ДВУХСЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР 2008
  • Портной Ефим Лазаревич
  • Гаджиев Идрис Мирзебалович
  • Соболев Михаил Михайлович
  • Бакшаев Илья Олегович
RU2383093C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР 1989
  • Адливанкин А.С.
  • Алавердян С.А.
RU2007804C1
Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии 2017
  • Крюков Евгений Витальевич
  • Крюков Виталий Львович
  • Меерович Леонид Александрович
  • Стрельченко Сергей Станиславович
  • Шумакин Никита Игоревич
RU2647209C1
СТРУКТУРА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СУБТЕРАГЕРЦОВОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО ЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА 2012
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Гергель Виктор Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Черепенин Владимир Алексеевич
RU2503091C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1997
  • Котелянский И.М.
  • Котелянский М.И.
  • Кравченко В.Б.
RU2186447C2

Иллюстрации к изобретению SU 1 378 740 A1

Реферат патента 1996 года ЛАЗЕР С ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ

Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,3 мкм с концентрацией примеcи 1,5•1017 см -3, монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs : O (2 ≈ 0,25 толщиной 0,2 мкм, второй дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,15 мкм с концентрацией легирующей примеси 1,5•1017см-3, полевые электроды, выполненные в канавках с наклонными стенками глубиной 0,3 мкм, расположенными на расстояниях, обеспечивающих фазовую синхронизацию излучения (≲ = 10 мкм), и истоки. Лазер обеспечивает рабочую полосу частот порядка 5 ГГц и позволяет выполнить излучатель и схемы обрамления в одном кристалле. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 378 740 A1

Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм, поверх изолирующего слоя и канавок расположен второй дополнительный слой того же типа проводимости, что и первый, в канавках расположены электроды в виде барьеров Шоттки, а омические контакты выполнены к второму дополнительному полупроводниковому слою.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU1378740A1

Fikuzawa T
and oth
Monolitic integration of GaAlAs injection laser with a Schottkygate field effeet transistor
Appl
Phys
Lett
Способ получения фтористых солей 1914
  • Коробочкин З.Х.
SU1980A1
Гош Д
Лазер с периодической структурой
- Электроника, 1985, т.58, N 15, с.26-28.

SU 1 378 740 A1

Авторы

Артамонов М.М.

Ильичев Э.А.

Полторацкий Э.А.

Инкин В.Н.

Минаждинов М.С.

Афанасьев А.К.

Алавердян С.А.

Шелюхин Е.Ю.

Даты

1996-07-20Публикация

1986-04-03Подача