Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния Советский патент 1988 года по МПК G01R33/02 

со

со о ел

оо

ОО

N)

Изобретение относится к дефекто- метрии и может быть использовано дл регистрации магнитных полей рассеян

Цель изобретения - повышение чувствительности.

На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 кривые зависимостей сигнала от тока подмагничивания.

Устройство (фиг.1) содержит магн точувствительный элемент (МЧЭ) 1, закрепленный в корпусе 2, в нижней части которого с помощью микровинто крепятся пластины 3 из магнитомяг- кого материала. Верхняя часть пластин 3 находится в поле действия солноида А. Устройство располагают на поверхности конт юлируемого объекта

5 с дефектами 6, обуславливающими на личие магнитных полей рассеяния. МЧЭ 1 и соленоид 4 соединены с электронными блоками питания 7, измерения 8 и сравнения - памяти 9.

Устройство работает следующим образом.

После нахождения участка поверхности контролируемого объекта 5, соответствующего максимальному сигналу МЧ.Э 1 (в магнитном поле рассеяния дефекта 6), помещают верхнюю часть пластин 3 в магнитное поле соленоида 4,в котором изменяют ток подмагничивания с прмощью блока 7 питания и фиксируют с помощью блока 8 измерени кривую зависимость сигнала МЧЭ 1 от тока подмагничивания соленоида 4 (фиг,2). Поскольку магнитная проницаемость ju пластины 3 из магнито

мягкого материала очень сильно и в широких пределах зависит от поля под

ным полем рассеяния дефектов, так и магнитным полем соленоида 4, то и ход кривой зависимости сигнала МЧЭ 1 от тока подмагничивания соленоида 4 будет для дефекта 6 с различной геометрией различным. Причем начальное положение кривой по оси ординат (фиг. 2) в основном определяется шириной дефекта (экспериментальные исследования показали сильную зависимость сигнала МЧЭ 1 от ширины b модельного дефекта.(прямоугольного паза) и слабую зависимость от глубины h - особенно, когда отношение глуби-

ны к ширине больше 5. При дополнительном подмагничивании верхней части пластины 3 с помощью магнитного поля соленоида 4 магнитная проницаемость пластины ( |u) возрастает, в результате чего возрастает плотность магнитных зарядов на боковой поверхности пластины 3 .& , что в опреде Q

5

2о ности/и -Н рк М

5

0

5

0

ленном диапазоне (до максимума ) повышает усиление магнитного поля рассеяния дефекта 6. Кроме того, при незначительном общем поле подмагничивания соленоида имеет место (опять из-за резкого роста рц) значительное возрастание нормальной (по отношению к поверхности контролируемого объекта 5) составляющей магнитного поля в объекте 5 (из условия непрерыв- HHO . где Н п нормальная составляющая поля концентратора, обусловленная в целом магнитным полем соленоида; - нитная проницаемость объекта - величина малая по сравнению с ц ; Н J, р - нормальная к поверхности контролируемого объекта 5 составляющая магнитного поля). Значительное возрастание Н „, пр1гаодит к тому, что имеет место увеличение плотности магнитного заряда (определяемой нормальной к боковой поверхности дефекта 6 составляющей магнитного поля) у дна дефекта (замыкание силовых линий происходит в основном у дна дефекта), что приводит к увеличению вклада этого участка дефекта 6 в общий сигнал МЧЭ 1 и приводит к,дифференциации дефектов 6 по глубине, т.е. к увеличению разности сигнала МЧЭ 1 от дефектов различной глубины, тем самым по- вьш1ается чувствительность устройства по определению глубины дефекта.

Формула изобретения

Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния по авт.св. № 920590, отличающееся тем, что, с целью повьш1ения чувствительности, в него введены параллельно соединенные соленоиды, охватывающие верхнюю часть пластин-концентраторов, подключенные через .блок питания к блоку измерения.

юо

/530 S 60

повм. иА Фи&.2

Изобретение относится к дефек- тометрии и может быть использовано для регистрации магнитных полей рассеяния. Изобретение позволяет повысить информативность неразрушающего контроля изделий при измерении геометрических параметров дефектов. Это достигается путем сканирования поверхности контролируемого объекта магниточувствительным элементом. Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния содержит магниточув- ствительный элемент 1, закрепленный в корпусе 2. В нижней части корпуса закреплена пластина 3 из магнитомяг- кого материала. Верхняя часть пластины находится в поле действия соленоида 4. Устройство размещают на поверхности контролируемого объекта 5 с дефектом 6, обусловливаюпшм возникновение магнитных полей рассеяния. Для повышения чувствительности в устройство дополнительно введены параллельно соединенные соленоиды. Магни- точувствительный элемент 1 и соленоиды 4 соединены с электронными блока-ми питания 7, измерения 8 и блоком сравнения - памяти 9. 2 ил. (Л