КОМПОЗИЦИЯ ФОТОРЕЗИСТА Советский патент 1995 года по МПК G03C1/72 

Изобретение относится к композициям фоторезиста и может быть использовано в микроэлектронике для получения микросхем методом фотолитографии.

Цель изобретения сокращение времени проявления и расширение полезного интервала экспонирования.

П р и м е р. В композицию серийного позитивного фоторезиста ФП-РН-7 (ТУ 6-14-1061-78) или ФП-383 (ТУ 6-14-632-78) вводят 50%-ный водный раствор алкилбензилдиметиламмоний хлорида (катамин АБ) в количестве 0,05-0,5 мас. тщательно перемешивают, выдерживают в течение 15-20 мин поливают на подложку и сушат.

Введение катамина АБ в количестве 0,05 мас. от массы фоторезиста не оказывает влияния на процесс проявления, нет воспроизводимости результатов, при перепроявлении в 1,5 раза уходят размеры элементов, в резисте появляются поры. При введении его более 0,5 мас. от массы фоторезиста значительно возрастает время проявления, наблюдается локальное недопроявление, а последующее увеличение введения катамина АБ ведет к тому, что проявление вообще отсутствует.

Результаты испытаний приведены в табл.1 и 2.

Из результатов таблиц видно, что введение алкилбензилдиметиламмоний хлорида в композицию фоторезиста в количестве 0,05-0,5 мас. позволяет расширить полезный интервал экспозиций, при которых сохраняется размер элемента, а также снизить время проявления.

Изобретение касается фоторезисторов и может быть использовано в микроэлектронике для получения микросхем фотолитографическим методом. Цель изобретения - сокращение времени проявления и расширение полезного интервала экспонирования. Композиция фоторезиста содержит (мас.%) светочувствительную компоненту на основе нафтохинондиазида 7 - 8; фенолформальдегидную смолу 12 - 13; 50%-ный водный раствор C₁₀-C₁₆ -алкилбензилдиметиламмоний хлорида 0,05 - 0,5; органический растворитель - до 100. Этот состав обеспечивает размер проявляемого элемента 2,8 - 3 мкм (против 2,8 - 3,5 мкм) при полезном времени экспонирования 10 - 15 с (против 10 - 12 с) и времени проявления в 0,6% -ном растворе КОН 20 с (против 40 с) без дефектов в виде остатков фоторезиста. 2 табл.

КОМПОЗИЦИЯ ФОТОРЕЗИСТА, содержащая светочувствительную компоненту на основе нафтохинондиазида, фенолформальдегидную смолу, органический растворитель и 50% -ный водный раствор алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы I
[C_nH_2n + N(CH₃)₂CH₂C₆H₅]⁺Cl^-,
где n 10 16,
отличающаяся тем, что, с целью сокращения времени проявления и расширения полезного интервала экспонирования, она содержит указанные компоненты в следующих количествах, мас.

Светочувствительная компонента на основе нафтохинондиазида 7 8
Фенолформальдегидная смола 12 13
Вещество формулы I (50%-ный водный раствор) 0,05 0,50
Органический растворитель Остальное