Транзисторный модуль Советский патент 1988 года по МПК H01L25/00 

Описание патента на изобретение SU1443056A1

(21)4237777/24-07

(22)29.04.87

(46) 07.12.88. Бюп. № 45 (72) А.М.Еськин

(53)621.314.61 (088.8)

(56)Домеников В.И. и др. Стабилизированные источники электропитания судовой радиоэлектронной аппаратуры. Л.: Судостроение, 1971, с.368-372.

(54)ТРАНЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЬ

(57)Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано при конструировании выходных каскадов передатчиков и инверторов большой мощности. Цель изобретения - уменьшение влияния паразитных электрических параметров соединений между элементами транзисторного модуля. Сущность изобретения заключается в том, что соединения между транзисторами 2 и другими радиоэлементами 11, 12, 13 выполнены в виде пакета плоских шин 3 и 4, наложенного нА теплоотвод 1 со стороны вьгаодов тран- зисторов и перекрывающего по размерам всю область теплоотвода. занятую

изияуры. 2.

обра исыходртоетеныхний модуетсязисита А ран- етую

транзисторами, шины снабжены штьфька- ми 7 и 8 для выполнения соединений, расположенными со стороны, противоположной теплоотводу, и соосными с ними и с выводами транзисторов отверстиями. Шины и теплоотвод обеспечивают соединения по двум измерениям: ши-; рине и длине модуля, а соединения по глубине обеспечиваются при помощи выводов транзисторов и жестких металлических штьфьков, установленных на шинах и теплоотводе, при этом каждая сплошная шина и теплоотвод, выполняющий, роль общей коллекторной шины, несмотря на значительную величину протекающих по ним , токов, представляют собою эквипотенциальные поверхности. Так как система плоскопараллельных шин обладает минимально возможными омическими сопротивлениями и индуктивностями среди проводников одинаковых размеров, но различной конфигурации, обеспечивает дополнительную неравномерность режимов транзисторов из-за соединений. 1 ил.

f

ю

САд

о сл о

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано при конструировании выходных каскадов передатчиков и инверто- ров большой мощности.

Целью изобретения является уменьшение влияния паразитных электрических параметров соединений мезкду транзисторами и радиоэлементами.

На чертеже изображена конструкция модуля, выполненного на биполярных или лрлевых транзисторах в корпусах со штыревыми выводами.

Основой конструкции модуля слу- жит прямоугольный, оребренный с одной стороны теплоотвод 1 из алюминиевого сплава с проводящим покрытием. Между ребрами теплоотвода 1 установлены тридцать два транзистора 2 а на противоположную сторону тепло- отвода 1 установлен пакет шин 3 и 4. Выводы 5 транзисторов 2 проходят сквозь соосные отверстия в теплоот- воде 1 и пакете шин 3 и 4, выступая над последней на несколько миллиметров.

Количество шин в пакете может быть от одного до трех и более в зависимости от схемы модуля,

Пакет DiHH 3 и 4 представляет собой в данном случае две медные или алюминиевые пластины толщиной 0,51мм, причем амна 3 отделена от теплоотвода 1 и от шины 4 при помощи ди- электрических пластин 6 или воздушных промежутков. В теплоотвод 1 и шины 3 и 4 запрессованы металлические штырьки-контакты 7-9 различной длины, на шину 4 устанавливаются изо ляторы с контактными штырьками 10.

При сборке модуля контактные штырьки 7 и 8 проходят через отверстия в шинах 3 и 4 и диэлектрических пластинах 6 таким образом, что сво- бодные концы выводов 5 транзисторов

2и штырьков 7-10 располагаются на одном уровне над плоскостью теплоотвода 1, Указанное обстоятельство поз воляет автоматизировать монтаж моду- ля.

Радиоэлементы 11-13 монтируются на штырьках 8-10 пакета шин 3 и 4 и штырьках, запрессованных в теплоотвод 1.

Выводы 5 транзисторов 2 соединяются со штьфьками 10 отрезками проволоки 14 одинаковой длины для всех одноименных выводов транзисторов модуля

Для повьш1ения общей надежности работы модуля в режимах перегрузок возможно применение для этих соединений 14 калиброванной легкоплавкой проволоки, действующей как гшавкие предохранители.

Дпя подключения в аппаратуру модуль снабжен стандартным многоштьфь- ковым разъемом, контакты которого соединены с шинами 3 и 4 и теплоот- водом короткими проводниками.

В специальных случаях, например, если модуль входит в состав широкополосного усилителя мощности, на выходном трансформаторе с объемным витком шинной конструкции с целью уменьшения потерь для подключения модуля в схему усилителя шины пакета 3 и 4 продлеваются за габариты теплоотвода и соединяются с шинами усилителя непосредственно без разъема.

Располагать шины следует в такой последовательности, чтобы нейтрализовать нежелательные емкостные обратные связи. Например, при работе модуля на биполярных транзисторах в усилителе по схеме с общим эмиттером шину 3 Эмиттер следует, разместить между теплоотводом 1 и шиной 4 База. При этом за счет экранирую- щего действия шины Эмиттер устраняется влияние обратной связи типа коллектор - база.

Преимущества предлагаемой конструкции подтверждены экспериментально Дополнительная неравномерность электрических режимов транзисторов из-за влияния паразитныгс параметров пакета шин не превьш1ает 27, при временах переключения 100 НС,

Снижена трудоемкость изготовления соединений деталей модуля, уменьшены количество и длина тонких проволочных соединений, а также расстояние между транзисторами и радиоэлементами, радиоэлементы располагаются не в нескольких плоскостях, а все в одной плоскости.

Вместо уголковых и штырьковых кон тактов различной конструкции для установки радиоэлементов используются однотипные штырьки.

В результате расположения радиоэлементов в одной плоскости получена возможность автоматизации монтажа. . Формула изобретения

Транзисторный модуль j содержащий п транзисторов, установленных н°а об31443056

щем теплоотводе, и m радиоэлементов,транзисторов и перекрьгоающего по раз- электрически соединенных с транзисто-мерам всю область теплоотвода, заня- рами и между собой, отличаю-тую транзисторами, причем каждая ши- щ и и с я тем, что, с целью умень- gна пакета снабжена металлическими шения влияния паразитных электричес-штырьками для вьтолнения соединений,. ких параметров соединений между тран-расположенными со стороны, противо- зисторями и радиоэлементами, эти сое-положной теплоотводу, и соосными с динения вьтолнены в виде пакетаними и с выводами транзисторов от- сплошных плоских шин, установленно- юверстиями. го на теплоотводе со стороны выводов

Похожие патенты SU1443056A1

название год авторы номер документа
Усилитель 1981
  • Демьянович Михаил Васильевич
  • Евреев Алексей Иванович
  • Синий Леонид Леонидович
SU1043814A1
Транзисторный биполярный ключ 1980
  • Мархасев Борис Яковлевич
SU917350A1
Преобразователь логических уровней 1985
  • Игумнов Дмитрий Васильевич
  • Костюнина Галина Петровна
  • Громов Игорь Степанович
  • Королев Геннадий Васильевич
SU1252936A1
Аналоговое запоминающее устройство 1987
  • Королев Виктор Алексеевич
  • Михайленко Борис Владимирович
  • Цыганков Валерий Алексеевич
SU1429173A1
Реле времени 1974
  • Никитин Виктор Михайлович
  • Савкин Владимир Григорьевич
  • Иоффе Владимир Лазаревич
SU566273A1
Операционный усилитель 1984
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1283946A1
Устройство для защиты нагрузки 1982
  • Зотов Валерий Петрович
  • Зотова Людмила Кузьминична
SU1099312A1
Компенсационный стабилизатор постоянного напряжения 1981
  • Иванова Светлана Алексеевна
  • Ланцов Владимир Васильевич
  • Сипягин Олег Николаевич
SU922698A1
Система зажигания для двигателей внутреннего сгорания 1986
  • Боричев Б.Г.
  • Гоптарев О.Н.
SU1433129A1
Транзисторный заграждающий фильтр 1982
  • Афанасенко Василий Васильевич
  • Кривдун Любовь Владимировна
  • Назаров Владимир Яковлевич
  • Рогов Валерий Владимирович
SU1117833A1

Реферат патента 1988 года Транзисторный модуль

Формула изобретения SU 1 443 056 A1

SU 1 443 056 A1

Авторы

Еськин Александр Михайлович

Даты

1988-12-07Публикация

1987-04-29Подача