Способ запуска установки непрерывной разливки металла Советский патент 1988 года по МПК B22D11/16 

см

Изобретение относится к металлургии, а именно к способу запуска многоручьевой установки непрерывной разливки, в частности для разливки рас- плава стали, из промежуточного ковша в несколько кристаллизаторов для непрерывной разливки с помощью регулируемых сливных затворов.

Цель изобретения - сокращение времени разливки,

На фиг.1 показана схема для управления трехручьевой установкой для непрерывной разливки металла,на фиг.2 п 3 - возможные изменения уровня ме- тап.иа в кристаллизаторах в процессе .

Из разливочного ковша 1 через ре- гулируемьш сливной затвор 2 расплав стали подается в промежуточный ковш 3, имеющий Три сливных затвора в форме шиберных затворов 4, регулирующих подвод расплава через трубы 5 для заливки в кристаллизаторы А, В, С для непрерывной разливки. Для этого каж- дый шиберный затвор механически соединен с исполнительным звеном 6, соответствующая позиция которого при эксплуатации фиксируется датчиком 7 положения. Трубы 5 для заливки своими свободными концами входят в кристаллизаторы А, В, С. Отрегулированньш для нормальной эксплуатации заданньй уровень 8 заполняется на измерительном участке 9 устройства для измере- НИЛ уровня заполнения, состоящего из передатчика 10 и приемника 11 для каждого кристаллизатора А, В, С,

За кристаллизаторами А, В, С установлено охлаждающее устройство (не показано), а также для слитков вытяжное устройство, имеющее вeдyш e ролики 12, привод 13, регулятор 14 привода и измеритель 15 скорости вытягивания. Последний передает свои измеренные значения на регулятор 14 привода и к процессору 16, принимающему и перерабатывающему, кроме этих еще и измеренные значения датчиков 7 положения, контролирующих степень открытия шиберных затворов 4, и приемников 11 устройств для измерения уровня заполнения. Получаемые данные идут к интегрированной в процессоре 16 управляющей вычислительной машине 17, вьщающей соответствующие управляющие команды на исполнительные звенья 6 шиберньк затворов 4 и на регулятор 14 вытяясного привода

для слитков, в качестве константы установлена скорость вытягивания, т.е. образующиеся в кристаллизаторах А, В, С слитки 18 вытягиваются с помощью общего вытяжного устройства с одинаковой скоростью. Это означает, что предусматриваемый для кристаллизаторов заданный уровень 8 заполнения регулируется только со стороны притока с помощью шиберных затворов. Для этого шиберные затворы 4 при нормальной разливке в плоскости заданного уровня заполнения удерживают в дросселированном положении, чтобы иметь возможность с помощью регулирования как уменьшать, так и увеличивать подвод расплава.

В начале процесса затравки 19 вводятся в кристаллизаторы А, В, Си отключается вытяжной привод 13. Во время разливки фактические уровни 20 заполнения всех кристаллизаторов А, В, С должны быть приведены к одному уровню между сигнальньи-ш плоскостями 21 и 22.

В частности, при разливке сначала шиберные затворы 4 открываются преимущественно только на 35%, но ни в коем случае не полностью. Благодаря этому для затворов 4 получаются резервы регулирования как в направлении закрытия, так и в направлении открытия, позволяющие поднимать каждый из фактических уровней 20 заполнения (фиг.2), поднимающихся в кристаллизаторах А, В, С от нижней сигнальной плоскости 21 до заданного уровня 8 заполнения вдоль задаваемой заранее кривой 23 подъема, которая согласуется с эксплуатационными условиями соответствующей установки с помощью соответствующего программирования процессора 16.

Критерием в отношении кривой 23, определяющей скорость заполнения кристаллизаторов А, В, С при разливке, является то, что она никогда не должна быть такой, что будет превышена по минимуму граница застывания расплава в шиберных затворах или расплав будет переливаться через край кристаллизатора. Регулирование каждого шиберного затвора 4 по кривой 23 начинается на нижней сигнальной плоскости 21 и приводится в действие за счет уровня 20 заполнения, поднимающегося в соответствующих кристаллизаторах А, В, С. Если при.

подъеме последний из всех фактических уровней заполнения A2U или В20, или С20 превосходит нижнюю сигнальную плоскость 21, то тогда управляющая вычислительная машина 17 процессора 16 включает вытяжной привод 13 общего вытяжного устройства для слитков 18. После этого подъем фактических уровней заполнения А20, В20, С20 происходит независимо друг от друга на базе одинаковых критериев и, следовательно, графически параллельных кривых 23- подъема до прихода к заданному уровню 8 заполнения, установленному для нормального процесса разливки. При этом, если бы при достижении заданного уровня были бы получены избыточные импульсы за счет слишком быстро поднимающегося уровня 20 заполнения, то это создало бы перелив через край кристаллизатора. Если при разливке фактический уровень 20 заполнения кристаллизатора А или В, или С уже пришел к верхней сигнальной плоскости 22, в то время как другие еще находятся ниже нижней сигнальной плоскости 21, то для шиберных затворов 4, отстающих указанным образом фактических уровней заполнения 20, даются команды на закрытие.

Фактический уровень 20 (фиг.2) заполнения кристаллизатора С после одновременного дросселированного открытия всех шиберных затворов 4 в начале разливки первым достиг за время Ct нижнюю сигнальную плоскость 21, причем относящийся к кристаллизатору С шиберный затвор 4 берет на себя регулировку подвода расплава по расчетной кривой 23 подъема. Вслед за этим фактические уровни 20 заполнения кристаллизаторов В и А друг за другом пересекают за времена Bt и At сигнальную плоскость 21 и задействуют в этот момент регулирование подъема по кривой 23. Ни один из фактических уровней 20 заполнения не отстает на существенную величину. Уровень А20 достигает нижнюю сигнальную плоскость 21 еще до того, как уровень С 20 по0

5

0

5

0

5

0

5

0

дойдпт к верхней сигнальной плоскости 22, так что команда на запуск привода 13 вытяжного устройства исходит от фактического уровня заполнения А20.

Фактический уровень заполнения А20 по фиг.З уже пришел к верхней сигнальной плоскости 22, фактический уровень заполнения В20 превысил нижнюю сигнальную плоскость 21, а фактический уровень заполнения С20 еще находится ниже этой плоскости. При этом положении фактических уровней заполнения вытяжной привод 13 для слитков запускается на верхней сигнальной плоскости 22 фактическим уровнем заполнения А20 и одновременно закрывается пшберньш затвор 4 кристаллизатора С, фактический уровень заполнения С20 в котором к этому времени не поднялся над нижней сигнальной плоскостью 21.

Формула изобретения

Способ запуска установки непрерывной разливки металла, преимущественно из промежуточной емкости с регулируемыми сливными затворами и общим приводом вытягивания слитков, включающий подачу металла из промежуточной емкости в кристаллизаторы и изменение подачи металла при достижении уровнем металла в любом из кристаллизаторов первого заданного по технологии значения, включение привода при достижении уровнем металла в любом из кристаллизаторов второго заданного по технологии значения, причем первое заданное по технологии значение уровня меньше второго, о т- личающийся тем, что, с целью сокращения времени разливки, включают привод при достижении уровнями металла во всех кристаллизаторах первого заданного по технологии значения, причем изменяют уровень металла в каждом из кристаллизаторов после достижения им первого заданно-. го по технологии уровня до второго заданного по технологии уровня с заданной скоростью.

% «О

89

ay

ю

Изобретение относится к металлургии, конкретно, к способу запуска многоручьевой установки непрерывной разливки металла. Цель изобретения - сокращение времени разливки. В многоручьевой установке для непрерывной разливки металла заданный уровень заполнения в кристаллизаторах А, В, .С контролируется на измерительном участке 9 с помощью нижней и верхней сигнальных плоскостей 21 и 22, благодаря которым происходит управление и включение сливных затворов 4 промежуточного ковща 3 для кристаллизаторов А, В, Си вытяжного привода для слитков, вытягивающихся с одинаковой скоростью. При этом выравнй- ваются все фактические уровни 20 за- полнения кристаллизаторов А, В, С при подъеме между двумя сигнальными плоскостями 21 и 22. Путем использования новых технологических операций и установления кривых подъема между сигнальными плоскостями 21 и 22 процесс разливки при упрощенных технологических операциях совершенствуется. 3 ил. i СО

6.

96 Т iOO

8S 70

9

X- 0

Редактор М.Бланар

Составитель А.Абросимов

Техред М.Ходанич Корректор Э.Лончакова

Заказ 6755/58

Тираж 741

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКИТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Подписное