Наклеечная планшайба Советский патент 1989 года по МПК B24B13/05 

СП

ИзоАретеиие относится к блок и- ровочиым приспособлениям для обработки тонких плос1фпараллельных пластин и может быть использовано при изготовлении мииеней из водорастворюшх кристаллов. Целью изобретения является повыЕсение точности и качества пластин из водорастворимых кристаллов. Для этого на: одной из поверхностей ппаншайбы, на которой закрепляют пластины, выполняют ортогональ1пле по отношению к ее поверхности канавки в двух взаимно пересекающихся направлениях с отношением шага к ширине канавки 20 t/a 23, при этом ширина канавки равна ее глубине. 4 ил. (Л

со

00

Изобретение относится к приспособ- jdBHHHM для изготовления тонких плос- 1копараллельных пластин, например, для изготовления мииеней из. водораствори- мьк кристаллов дпя преобразователей теплового излучения.

Целью изобретения является повы- |шение точности изготовления тонких |тшоскопараллельных пластин из водо- JO растворимых кристаллов.

На фиг. 1 изображена предлагаемая наклеечная планшайба, вид спереди; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - узел I на фиг. 1; на г.4 -15 крепление тонкой пластины на поверхности наклеечной планшайбы.

Наклеечиая планшайба представляет собой плоскопараллельный диск 1, выполненный из кварцевого стекла дна- 20 I метром 20-30 ш и толщиной 10 мм. I На поверхности 2 этого диска (иа эту поверхность в дальнейшем будут закрепляться заготовки) выполнены канавки

канавок более 0,15 vO,5 мм увеличивается расход воска, усложняется изготовление планшайбы, а самое главное при блокировке и выдавливании излишков воска возможно разрушение пластин 4 (образование трещин, сколов и т,д.). Таким образом, оптимальное отношение шага канавки к ее ширине

выбрано из условия 23.

cL

Блокировка заготовки пластины 4 производится следующим образом.

На обезжиренную поверхность 2 на- 1спеечной планшайбы устанавливают за- г отовку пластины 4. По краям пластины 4 | асполагают несколько кусочков воска. После этого наклеечную планшайбу нагревают до температуры плавления воска, и воск по канавкам 3 затекает под пластину 4. Излишек воска выдавливается из-под пластины 4. Следовательно, пластина 4 строго пар.ал-с лельно заблокирована на поверхности

3 с иагом t 2-3 мм, глубиной Ъ и ши- -гэ у..- планшайбы. После остьшания 1ЖНОЙ а 0,09-0,15 мм.

30

Шаг, глубина и ширина канавок 3 выбраны опытным путем из следующих соображений: уменьшение шага менее 2-3 мм приводит к уменьшению площади участков поверхности, которые обеспечивают параллельность блокировки. Кроме того, в этом случае возрастшот затраты на изготовление наклеечных планшайб, так как необходимо сделать 35 большее число канавок 3. Увеличение, шага канавок 3 усложняет-параллельную блокировку, т.е. воск попадает между канавками 3 и удалить его из этих участков очень сложно. Это, в свою очередь, нарушает оптический контакт между пластиной 4 и планшайбой. Глубина и ширина канавок 3 выбрана из следуюршх соображений. При разона держится на поверхности пластины только на участках канавок 3. Параллельность блокировки пластины 4 на поверхности наклеечной планшайбы обес печивается непосредственным оптическим контактом между пластиной 4 и поверхностью наклеечной планшайбы.

Формула

изобретения

40

Наклеечная планшайба для изготовления тонких плоскопараллельных пласг- тин, вьнголненная в виде диска с канавками в двух взаимно пересекающихся направлениях на его рабочей поверхности, отличающаяся тем, что, с целью повьш1ения точности и качества изготовления пластик из

мерах канавки 3 менее 0,09 0,09 мм количество воска и площадь приклейки недостаточны для надежной блокировки пластины 4 на поверхности наклеечно й планшайбы. При увеличении размеров

45 водорастворимых кристаллов, отношение шага канавки к ее ширине выбрано

в пределах 20 с - :23, при этом ширина

канавки равна ее глубине.

iXA

С

канавок более 0,15 vO,5 мм увеличивается расход воска, усложняется изготовление планшайбы, а самое главное при блокировке и выдавливании излишков воска возможно разрушение пластин 4 (образование трещин, сколов и т,д.). Таким образом, оптимальное отношение шага канавки к ее ширине

выбрано из условия 23.

cL

Блокировка заготовки пластины 4 производится следующим образом.

На обезжиренную поверхность 2 на- 1спеечной планшайбы устанавливают за- г отовку пластины 4. По краям пластины 4 | асполагают несколько кусочков воска. После этого наклеечную планшайбу нагревают до температуры плавления воска, и воск по канавкам 3 затекает под пластину 4. Излишек воска выдавливается из-под пластины 4. Следовательно, пластина 4 строго пар.ал-гэ у..- планшайбы. После остьшания

30

35 она держится на поверхности пластины только на участках канавок 3. Параллельность блокировки пластины 4 на поверхности наклеечной планшайбы обеспечивается непосредственным оптическим контактом между пластиной 4 и поверхностью наклеечной планшайбы.

Формула

изобретения

Наклеечная планшайба для изготовления тонких плоскопараллельных пласг- тин, вьнголненная в виде диска с канавками в двух взаимно пересекающихся направлениях на его рабочей поверхности, отличающаяся тем, что, с целью повьш1ения точности и качества изготовления пластик из

водорастворимых кристаллов, отношение шага канавки к ее ширине выбрано

в пределах 20 с - :23, при этом ширина

канавки равна ее глубине.

фиг.1

фугЗ

9 иг г

ФигЛ