Способ записи информации на аморфный полупроводниковый носитель Советский патент 1989 года по МПК G11C11/34 G11C7/00 

4;iki СП

00 4 4 О5

Изобретение относится к способам записи информации в элементах памяти на аморфных полупроводниках, которые используются в вычислительной технике в качестве активных сре запоминающих устройств.

Цель изобретения - ускорение процесса записи информации.

На фиг.1 и 2 приведены временные диаграммы напряжений на управляющих и записывающих электродах, а также сопротивления аморфного полупроводника при записи информации по известному и предлагаемому способам,

На чертежах приняты следующие обозначения: Vy - управляющее напряжение; Уд - пороговое напряжение аморфного полупроводника; Vp- рабочее напряжение; R - сопротивление аморфного полупроводника, V. - суммарное напряжение на аморфном полупроводнике; f - момент времени подачи управляющего напряжения j 1,- момент подачи сигнала на переключе- ние; . момент начала изменения сопротивления аморфного подупроводника;

Т.

,, - момент окончательного пере ключения.

Запись информации осуществляют следующим образом.

На управляющие электроды прикладывают напряжение V,,, а затем на запи- j сывающие электроды прикладывают ; VP Vf, противоположной полярности :с V,,, Причем V и Vp-выбираются таки ми, чтобы напряжение на аморфном полупроводнике V V р + V было меньше У„, необходимого для записи ин- i формации. Затем, (быстро снимая V,., производят запись информации.

При записи инфорТ ации согласно про тотипу оба напряжения V р и . V имеют одинаковую полярность, В момент времени й на управляющие электроды подают напряжение Vv,, При этом суммарное напряжение V, возрастает и в момент йремени С превышает пороговое, чГо вызьтает уменьщение сопротивления аморфного полупроводника,Процесс записи информации заканчивается в мог мент времени Cj , когда сопротивление аморфного полупроводника достигает минимальной величины. Время записи информации Cjj, равно сумме времени нарастания V до V„ и изменения R, т.е. С ij t (фиг.О, При записи информации согласно предложенному способу напряжения

.Q 4,

20 25

30

0

Vy и Vp имеют различную полярность, В момент времени г V, снимают. При этом Vg скачкообразно изменяется и становится равным Vp, превьщ1ающим V, Создающееся перенапряжение уско-- ряет процесс изменения сопротивления аморфного полупроводника. Время запи- равное времени изменения сопротивления аморфного полупроводника ( Cj -С,) меньще,-чем в случае переключения согласно известному способу, за счет уменьшения времени нарастания Vg и уменьшения времени изменения сопротивления аморфного полупроводника.

Хранение информации может осуществляться при отсутствии внешних напряжений. Стирание информации производится подачей на записывающие электг роды напряжения, превьшающего V и имеющего противоположную полярность по отношению к Vp, при котором произ- водится запись информации, , Предлагаемый- способ использован для записи информации в элементы памяти с аморфным полупроводншсом Pb-Ge-Te, у которого при зазоре между записываищими электродами 6 мкм и Vp 68 В, время записи г 2-2,7 мкс. При исследуемых Vp- 80-150 В время записи уменьшается как

3o, fVp- V)/V J

И при Vp 145 В время записи информации 0,3 МКС.

Формула изобретения

Способ записи информации на аморфный полупроводниковый носитель, заключающейся в приложении к аморфному полупроводнику напряжений через управляющие и записывающие электроды, отл.ичающий. ся тем, что, с целью ускорения процесса записи информации, предварительно на управляющие электроды подают управляющее напряжение одной полярности, затем на записывающие электроды подают рабочее напряжение противоположной полярности, по величине превосходящее пороговое напряжения, причем суммарное напряжение на аморфном полупроводнике, определяемое рабочим и управляющим напряжением, ниже порогового, в момент записи информации

снимают управляющее.напряжение и запись производят на рабочем напряжении на аморфном полупроводнике, превосходящем пороговое напряжение.

Изобретение относится к способам записи информации в элементах памяти на аморфных полупроводниках, которые используются в вычислительной технике в качестве активных сред запоминающих: устройств. Цель изобретения - ускорение записи информации; Запись информации осуществляют при напряжении на аморфном полупроводнике, превышающем пороговое. Для этого на аморфный полупроводник подают .управляющее напряжение Vyотрицательной полярности, затем рабочее напряжение VP противоположной полярности, превышающее пороговое Vf,, но такое, что оно в сумме с управляющим не приводит к изменению сопротивления аморфного полу1 роводника R, т.е. суммарное напряжение V Vr,. В момент записи информации управляющее напряжение V снимаю.т. На фиг.1 и 2 приведены временные диаграммы напряжений по известному и предложенному способам соответственно ( i момент подачи С,- момент подачи сигнала на пемомент начала измеУ .. реключение t.нения сопротивления аморфного полупроводника, момент полного переключения). 2 ил. (Л

v«

УЯ

Г,

е

f

01/9.7

Фиа.2