Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя изображения и способ его получения Советский патент 1989 года по МПК G03G5/08 

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к технологии получения светочувствительных слоев, и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - повышение чувствительности фотоинжекционного элемента.

Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя получают путем вакуумного напыления на движущуюся подложку с электропроводящим слоем селена и теллура с изменением концентрации теллура по толщине, причем часть зоны напыления экранируют от молекулярного потока теллура для формирования слоя чистого селена толщиной 0,05-0,10 мкм, поверх которого наносят слой селена с увеличивающейся по толщине от 1 до 30 мас.% концентрацией примеси теллура.

Посредством экранирования часть зоны напыления затеняют от молекулярного потока теллура. При перемещении подложки от края зоны до экрана на ней конденсируется слой селена без примеси теллура. В момент прохождения подложкой экрана концентрация теллура скачком возрастает до начальной величины 1-4 а.т.% и далее непрерывно увеличивается до 30 ат.% по мере перемещения подложки через зону конденсации с увеличением толщины слоя.

Физическая сущность способа заклю/- гчается в создании на границе между услоем чистого селена и слоем селена с примесью теллура скачка потенциала (энергетического барьера) для дырок генерируемых с примесью теллура препятствующего рекомбинации дырок на поверхностных состояниях контакта металл-полупроводник. Тем самым увеличивается эффективный квантовый выход фотогенерации носителей заряда

(Л

Я

N

со со

F

и светочувствительность фотоинжекци- онного элемента.

Способ осуществляется следующим образом.

Пример 1.На подложку с электропроводящим слоем наносят слой чистого селена толщиной 0,1 мкм и поверх него слой Se с примесью теллура с увеличивающейся по толщине от 4 до 30 ат.% концентрацией теллура толщиной 0,2 мкм в процессе равномерного перемещения подложки через зону напыления. Поверх полученного фото- инжекционного элемента наносят фото- проводниковый слой, содержащий 60 мае.% NjN-дифенилгидраэона N-диэтиламино- бензальдегида и 40 мас.% поликарбоната толщиной 10 мкм.

Пример 2. Изготавливают фо- тоинжекционный элемент по примеру 1, но концентрацию теллура в слое селе на изменяют от 1 до 30 ат.%.

Пример 30 Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1 но концентрацию теллура в слое селена изменяют от 1 до 20 ат.%.

Пример 4. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1, но слой чистого селена и селена с при- месью теллура напыляют раздельно в дв этапа. Сначала напыляют слой селена. Затем образец вынимают из вакуума, вновь устанавливают в напылительное устройство и напыляют слой селена с примесью теллура.

Пример 5 (прототип).

Примеры 6-10. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1, но толщину слоя селена с пе- ременной концентрацией теллура варьируют от 0,06 мкм (пример 6) до 0,1 мкм (пример 7), 0,3 мкм (пример 8), 0,5 мкм (пример 9), 1,0 мкм (пример 10) .

Светочувствительность полученных по примерам 10-10 фотоинжекционных элементов оценивают по критерию полуспада поверхностного потенциала при экспонировании монохроматическим светом:

S (E-t0,5 )- ,

.

0

Q

д 5

5

0

где К - освещенность, Вт/м2; t05 - время полуспада, с.

Результаты испытаний приведены в таблице.

Наиболее целесообразна толщина слоя селена 0,01-0,1 мкм. Этот диапазон толщин обеспечивает отсутствие туннелирования носителей заряда сквозь слой и тем самым достижение положительного эффекта, приемлем и с точки зрения обеспечения механической прочности и расхода веществ.

Формула изобретения

/

1.Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя изображения, содержащий подложку, электропроводящий слой и слой селена с примесью теллура с переменной концентрацией теллура, отличающийся

тем, что, с целью повышения светочувствительности, он дополнительно имеет слой селена, расположенный между электропроводящим слоем и слоем селена с примесью теллура переменной концентрации, при этом толщина слоя с переменной концентрацией теллура составляет 0,1-1,0 мкм, а концентрация теллура в ней растет по толщине от 1,0 до 30 ат.%.

2.Способ получения фотоинжекци- онного элемента электрофотографического носителя изображения, включающий вакуумное напыление селена и теллура из пространственных разнесенных зон испарения на равномерно движущуюся подложку с электропроводящим слоем

в направлении от зоны испарения селена к зоне испарения теллура, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности элемента путем формирования слоя из чистого селена, часть зоны напыления экранируют от молекулярного потока теллура, а на участки подложки движущихся вне зоны экранирования напыляют слой селена с примесью теллура.

3.Способ по п. 2, отличающий с я тем, что селен и теллур транспортируют в зоны испарения раздельно или в смеси сплава.

При толщине 1,0 мкм и более слой становится технически непрочным - не допускает многократных изгибов из-за появления трещин

Изобретение относится к способам получения фотоинжекционного элемента. На равномерно движущуюся подложку с электропроводящим слоем напыляют слой чистого селена, а затем слой селена с примесью теллура переменной концентрации. Для формирования слоя чистого селена часть зоны напыления экранируют от молекулярного потока теллура. Толщина слоя с переменной концентрацией теллура составляет 0,1-1,0 мкм. Концентрация теллура в этом слое растет по толщине от 1,0 до 30 ат.%. Селен и теллур транспортируют в зоны напыления раздельно или в смеси справа . 2 з.п. ф-лы.