название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ сглаживания рельефа диэлектрической изоляции интегральных схем с многоуровневой разводкой | 1987 |
|
SU1499604A1 |
Способ изготовления МОП ИС с конденсаторами | 1991 |
|
SU1804664A3 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ | 1980 |
|
SU880167A1 |
Способ изготовления МОП-интегральных схем с поликремниевыми резисторами | 1989 |
|
SU1609399A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С МНОГОУРОВНЕВОЙ РАЗВОДКОЙ | 1992 |
|
RU2012096C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ (БМК) | 1996 |
|
RU2124252C1 |
Способ изготовления полупроводниковых приборов | 1990 |
|
SU1830156A3 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 1982 |
|
SU1840163A1 |
Способ изготовления МДП-микросхем методом пошагового репродуцирования | 1984 |
|
SU1199155A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА | 1991 |
|
RU2024107C1 |
Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного поликристаллического кремния, из последовательно нанесенных пленок двуокиси кремния и нитрида кремния с соотношением толщин от 1/14 до 1/7, после чего создают локальные оксидные области прокислением незащищенного маской слоя нелегированного поликристаллического кремния, легирование поликристаллического кремния проводят после удаления маски, после чего вытравливают локальные оксидные области, стравливание участков слоя нитрида кремния проводят перед формированием межслойного диэлектрика.
Авторы
Даты
2008-01-20—Публикация
1987-07-13—Подача