Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС Советский патент 2008 года по МПК H01L21/28 

Похожие патенты SU1491266A1

название год авторы номер документа
Способ сглаживания рельефа диэлектрической изоляции интегральных схем с многоуровневой разводкой 1987
  • Красин А.А.
  • Луцкий И.Ю.
  • Стасюк И.О.
  • Иванковский М.М.
  • Газизов И.М.
SU1499604A1
Способ изготовления МОП ИС с конденсаторами 1991
  • Иванковский Максим Максимович
  • Агрич Юрий Владимирович
SU1804664A3
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ 1980
  • Чистяков Ю.Д.
  • Манжа Н.М.
  • Кокин В.Н.
  • Волкова О.В.
  • Коваленко Г.П.
  • Лукасевич М.И.
  • Сулимин А.Д.
  • Самсонов Н.С.
  • Патюков С.И.
  • Волк Ч.П.
  • Шепетильникова З.В.
  • Шевченко А.П.
  • Одиноков А.И.
SU880167A1
Способ изготовления МОП-интегральных схем с поликремниевыми резисторами 1989
  • Иванковский М.М.
  • Агрич Ю.В.
SU1609399A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С МНОГОУРОВНЕВОЙ РАЗВОДКОЙ 1992
  • Скороходов В.Д.
RU2012096C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ (БМК) 1996
  • Агрич Ю.В.
RU2124252C1
Способ изготовления полупроводниковых приборов 1990
  • Хенрикус Годфридус Рафаэль Мас
  • Роланд Артур Ван Ес
  • Йоханнес Вильхельмус Адрианус Ван Дер Вельден
  • Петер Хенрикус Кранен
SU1830156A3
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 1982
  • Манжа Николай Михайлович
  • Манжа Любовь Павловна
  • Шурчков Игорь Олегович
  • Сулимин Александр Дмитриевич
  • Ячменев Владимир Васильевич
  • Коваленко Галина Петровна
SU1840163A1
Способ изготовления МДП-микросхем методом пошагового репродуцирования 1984
  • Мацкевич В.М.
  • Москалевский А.И.
  • Перова Н.И.
  • Ярандин В.А.
SU1199155A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА 1991
  • Белоусов И.В.
  • Деркач В.П.
  • Медведев И.В.
  • Швец И.В.
RU2024107C1

Реферат патента 2008 года Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного поликристаллического кремния, из последовательно нанесенных пленок двуокиси кремния и нитрида кремния с соотношением толщин от 1/14 до 1/7, после чего создают локальные оксидные области прокислением незащищенного маской слоя нелегированного поликристаллического кремния, легирование поликристаллического кремния проводят после удаления маски, после чего вытравливают локальные оксидные области, стравливание участков слоя нитрида кремния проводят перед формированием межслойного диэлектрика.

SU 1 491 266 A1

Авторы

Красницкий В.Я.

Кисель Л.И.

Турцевич А.С.

Домбровский В.Т.

Смаль И.В.

Даты

2008-01-20Публикация

1987-07-13Подача