Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов Советский патент 1962 года по МПК H01L21/33 

Известен способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р-п-р, имеющих высокие предельные частоты, малые базовые сопротивления и высокие предельно допустимые коллекторные напряжения.

Предлагаемый способ изготовления диффузионных кристаллических триодов отличается использованием пластинки германия с нанесенной на ней риской, в которую вносятся вещества, предназначенные для образования эмиттерного и базового контактов. Диффузия производится в атмосфере водорода при теовыщенной температуре, а после окончания диффузии к переходам припаиваются контакты и производится селективное травление германиевой пластинки с полученными на ней переходами.

Такой способ позволяет упростить технологию производства триодов.

По предложенному способу на германиевую пластинку р-типа размером 2X2 мм, наносится риска глубиной 50 мк. Пластинка загружается в графитовую кассету.

Снизу пластинки кладется тонкий .слой индия, сверху на риске, на расстоянии 0,3 мм друг от друга, располагаются два кусочка сплава. Первый кусочек выполнен из сплава индий-сурьма (In -95%, Sb-5%) и служит для создания р-области эмиттера и базового слоя.

Второй кусочек-сплав олово-сурьма (Sn-99,5%; Sb-0,5%) употребляется для вывода базы.

Индий служит для создания омического контакта к коллектору.

Диффузия проводится в атмосфере водорода при температуре 780° в течение 30 мин. После припайки никелевых выводов к базе и эмиттеру, а также травления перехода в перекиси водорода в течение 1 мин, область база-эмиттер замазывается нерастворимым слоем поли№ 149153-2стирола. Далее производится травление в течение 4-5 сек, при этом удаляется образующийся в процессе миграции сурьмы по поверхности пластинки л-слой, и появляется переходная характеристика база-коллектор. Полистирол удаляется растворением в толуоле.

Затем следует- вторичное травление в перекиси водорода в течение 2-5 мин до появления переходной характеристики база-эмиттер.

Предлагаемый способ является более простым, чем известный и при помощи его удалось получить триоды, предельные частоты которых- порядка от 100 до 150 мггц, а отдельные экземпляры - от 200 до 240 мггц.

Предмет изобретения

Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р-п-р, отличающийся тем, что для , упрощения технологии производства .на пластинку германия наносится риска, в которую вносятся вещества, предназначенные для образования эмиттерного и базового контакта, и диффузия производится в атмосфере водорода при повышенной температуре, а после окончания диффузии к переходам припаиваются контакты и производится селективное травление германиевой пластинки с полученными на ней переходами.