Силовой германиевый диод Советский патент 1961 года по МПК H01L29/02 

Известны силовые германиевые диоды на ток 1000 а и обратное нуиряжение 100 в с улучшенным теплоотводом Путем двухстороннего принудительного (водяного) охлаждения.

В опис1 шаемом диоде для уирощения изготовления и предохранения выпрямляющего перехода от механических повреждений выпрям.пяющий диффузионный п-р переход получают с помощью послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма в низкоомный германий р-типа, а Припайку перехода к основаниям корпуса диода производят тягучим индиевым припоем.

На чертеже изображена схема диода.

Изготовление силовых германиевых диодов состоит в том, что прп 1еняют отшлифованный и протравленный в 4% перекиси водорода диск 1 из германия р-типа с удельным сопротивлением 8-12 ом1с,и и шффузионной длиной 0,7-1,5 мм, имеющий диаметр 40 мм и толщит у 0,5 мм. Л-р-переход 2 изготавливают с помощью послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма, содержащего 9(« свинца и 3% сурьмы. С этой целью в одну из сторон диска 1 вплавляюг диск 3 указанного сплава диаметром 36 мм и толщиной 0,2 мм. Вплавл.ние осуществляют в течение 20-25 мин при температуре 800-810°, л диффузию ведут в течение 5-6 час при температуре 770-780°.

Омический контакт с противоположной стороной диска / получают jiyTCM проплавления диффузионной л-области, покрывающе диск /, сплавом олово-индий, содержащим 70% олова и 30% индия. Размеры диска из указанного сплава - диаметр 40 мм и толщина 0,2 ммПриплавление омического контакта -производят при прогреве в течение 5-6 мин до температуры 490-500° и последующем подъеме температуры за 2-3 мин до 510-515°. После удаления диффузионного л-слоя и обнажения перехода 2 путем травления в кипящей -4% перекиси водорода переход 2 покрывают термореактивным компаундом Л1БК-3

(ПОЗИЦИЯ 4). К основаниям 5 переход 2 припаивают тягучим индиевым прилоем 6, содержащим 50% индия и 50% олова, в течение 3-4 мич при гемлературе 200°. В результате припаивания по обе стороны перехода получают термоизолирующие и компенсирующие подущки 7, толщина которых определяется диаметром ограничительных колец 8 и равна 0,35 мм.

Предмет изобретения

Силовой германиевый диод на ток 1000 а и обратное напряжение 100 в с улучщенным теплоотводом путем двухстороннего принудительного (водяного) охлаждения, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и предохранения выпрямляющего перехода от механических повреждений, выпрямляющий п-р переход получают способом послевплавной диффузии сурьмы из двойного сплава свинец-сурьма 8 низкоомный германий р-типа, а припайку перехода к основаниям корпуса диода производят тягучим индиевым лрипоем.