Полупроводниковый бесконтактный коммутатор Советский патент 1962 года по МПК H03K17/08 

При управлении быстродействующими электромагнитными муфтами и в ряде других случаев в качестве коммутаторов используют транзисторы. Для защиты их от пробоя электродвижущей силой самоиндукции нельзя использовать щунтирующий диод, так как это значительно увеличивает время отключения. Поэтому применяют отключение -ерез область пробоя, что резко снижает надежность, а также использозамие транзисторов по току и напряжению коллектора.

Предложенный полупроводниковый бесконтактный коммутатор характеризуется тем, что в «ем для защиты транзисторов от пробоя нагрузка включена в диагональ моста, противоположные плечи которого содержат соответственно два транзистора, включенных в проводящем напра влениИ по отнощению к источнику питания, и два полупроводниковых диода, включенных в непроводящем направлении- Для ускорения Процесса отключения диоды могут быть включены на отдельный источник с напряжением более высоким, чем напряжение источника питания .нагрузки.

На фиг. 1 показана электрическая схема полупроводникового коммутатора, вьтол-ненного согласно изобретению; на фиг- 2-вариант схемы с питанием диодов от отдельного источника.

В схеме на фиг. 1 нагрузка 2„ включена IB диагональ моста, выполненного на двух транзисторах Г, и Га и двух диодах Д, и Д. Импульсный сигнал, снимаемый с вторичной обмотки трансформатора Гр, включает транзисторы 7, Га (путь тока в нагрузке показан сплощной линией), после чего транзисторы запираются и напряжение на 7„ реверсируется, так как ток, быстро уменьшаясь, протекает через диоды Дь Д2 навстречу напряжению источника питания Иtt. за счет э.д.с. самоиндукции (на схеме показано пунктиром).

В варианте, еоказаннОМ на фиг. 2, с целью дальнейшего ускорения процесса отключения, диоды включаются на отдельный источник И-, напряжение которого выще, чем f/й,При питании от выпрямителя необходимо включать емкости С (пунктир). Запирающее смещение на транзисторы может быть подано :по известным Схемам.

Предмет изобретения

1.Полупроводниковый бесконтактный коммутатор для актпвмоиндуктивной нагрузки, выполненный на транзисторах, отличающийся тем, что, с целью защиты транзисторов от пробоя, нагрузка включена в диагональ моста, противоположные плечи которого содержат соответственно два транзистора, включенных в проводящем на-прсВлении по отношению к источнику питания, и два полупроводииковых диода, включенных в непроводящем направлении.

2.Полупроводниковый коммутатор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса отключения, диоды включены на отдельный источник с напряжением . более высоким, чем мапрл ке) источНИка питания нагрузки

Фиг 2