Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

Н,у

О1

Од СП

Изобретение относится к функциональной микроэдектронике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах

(ЧИД).

Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦМД вдоль канала.

зелиэнергия, связанная с полем рассеяния ЦМД.

что Е увез

.НД .

Т.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД под смежным диском знергия ЦМД будет возрастать, а при нахожде1ши 1ЩД на краю

Из формулы (1) видно, что чивается с ростом Нд и G,

Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦМД вдоль канала. Устройство содержит немагнитную подложку 9, на которой расположен слой-носитель 2 ЦМД и слой 3 с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы 4 продвижения ЦМД в виде смежных дисков и канавки 5. Заряженные границы 6 расположены на краях дисков 4. ЦМД 7 расположен на краю диска 4 - участка 8 с повышенной одноосной анизотропией. H_ху - вектор 1 напряженности поля управления. 1 ил.

мая структура.

Структура содержит вектор 1 напряi . женности поля управления Н

:i

лежащий

На чертеже представлена предлагае- д смежного диска будет уменьшаться, так

как за пределами диска Нд меньше. Таким образом, при повышении одноосной анизотропии под смежным диском 1В 1Д будет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает энергия ЦМД, так как увеличивается поле рассеяния и связанная с ним энергия Ед в формуле (1). Исходя из изложенного, ясно, что на краю смежного диска в слое-носителе ЦМД имеется потенциальная яма, ЦМД будет привязан к краю даска и в процессе движения вдоль канала не будет уходить под смежные диски. Таким образом, увеличивается надежность продвижения ЦМД вдоль канала.

Пример о Структура продвижения ЦМД в NMKpocxeMe может быть изготовлена следующим образом.

На подпожку ГГГ ориентации 11 l наращивают слой-носитель ЦМД и слой с

в плоскости слоя-носителя 2 ЦМД и слоя 3 с магнитной анизотропией типа лег- 5 кая. плоскость, в котором сформированы канаты 4 продвижения ЦМД в виде смежных дисков, канавки 5, заряженные границы (стенки) б, находящиеся на краях дисков, Щ1Д 7, участок 8 с по- 20 вышенной одноосной аг-шзотропией и не- магнитну5о подложку 9.

Структура работает следующим образом..

Поле управления вращается в 25 плоскости слоев, вызьгоая передвижение заряженных стенок 6 вдоль периметра смежных дисков в каналах 4 продвижения, НМД 7, гфитягиваясь к заряженной стенке 6, следует за ней до места со-ЗО прялсеьшя смежных дисков,, где притягивается заряженной стенкой следующего диска, которая появляется на краю диска после поворота поля управления 180 . В течение этого повоН

i

иа

35

рота Ц1 Щ 7 находится в месте сопряжения дисков. ЩЩ 7 не переходит на другую сторону канала 4 продвижения, так как одноосная анизотропия участка 8 под диском увеличена, что создает 40 для ЦМД 7 энергетический барьер. ЦМД 7 не покидает диск, перемещаясь в слое-носителе ЦМД в сторону вытравленной канавки 5, так как притягивается смежньпх диском, который замыкает по- 15 ле рассеяния ЦМД.

Изложенное можно пояснить следующим образом. Энергия ЦМД - Е определяется

магнитной анизотропией типа легкая плоскость методом жидкофазной эпи- таксии феррит-гранатов.

Вариациями состава и замещениями ионов в решетке феррита-граната слоя-носителя ЦМД и слоя с плоскостной анизотропией добиваются требуемых характеристик. Например, слой- носитель ЦМД имеет отрицательную константу магнитострикции, тогда слой, в котором формируются структуры продвижения, должен иметь параметр решетки больше, чем у материала-носителя ЦМД, тогда слой с плоскостной анизотропией будет сжат, а слой с ЦМД растянут и в нем возрастет одноосная анизотропия. В месте свободном от слоя со смежными дисками анизотропия слоя с ЦМД будет меньше, так как эти участки не деформированы.

Е 2

ГгЬб +Ед+2 Ьг2М5Н

А

(1)

де

W

М,

Нл

-радиус Щ-1Д}

-высота ЦМД;

-плотность энергии доменной границы;

-намагниченностью насыщения;

-поле одноосной анизотропии в слое-носителе ЦМД ,

магнитной анизотропией типа легкая плоскость методом жидкофазной эпи- таксии феррит-гранатов.

40 15

0

5

Вариациями состава и замещениями ионов в решетке феррита-граната слоя-носителя ЦМД и слоя с плоскостной анизотропией добиваются требуемых характеристик. Например, слой- носитель ЦМД имеет отрицательную константу магнитострикции, тогда слой, в котором формируются структуры продвижения, должен иметь параметр решетки больше, чем у материала-носителя ЦМД, тогда слой с плоскостной анизотропией будет сжат, а слой с ЦМД растянут и в нем возрастет одноосная анизотропия. В месте свободном от слоя со смежными дисками анизотропия слоя с ЦМД будет меньше, так как эти участки не деформированы.

Смежные диски формируются в слое с плоскостной анизотропией методами фотолитографии и ионно-плазменного распыления.

15135176

Формула изобретенияв виде последовательности смежных дне-,

Структура для продвижения цилиндри-ков, окруженные вытравленными канавч ских магнитных доменов, содержащаяками, отличающаяся тем,

немагнитную подложку, на которой раз-что, с целью повьппения надежности

мещены слой-носитель цилиндрическихпродвижения цилиндрических магнитных

магнитных доменов и лежащий на его по-доменов вдоль канала, под поверхносверхности магнитный слой с магнитнойтью смежных дисков слой-носитель цианизотропией типа легкая плоскость,линдрических магнитных доменов выполв котором сформированы кайалы продви- Qнен с увеличенной одноосной анизотрожения цилиндрических магнитных доменовпией.