Фотодиодная матрица Советский патент 1962 года по МПК H01L23/50 

Известны полупроводниковые фотодиодные матрицы с диффузионными л-р-переходами, полученными диффузией сурьмы из паровой фазы в германиевый кристалл с общим выводом от р-слоя. Однако при изготовлении известных матриц трудно произвести выводы от фоточувствительных поверхностей так, чтобы они не затеняли соседних элементов или общего вывода матрицы.

Предлагаемая фотодиодная матрица свободна от указанных недостатков. Достигается это тем, что выводы от светочувствительных слоев фотодиодов пропущены через диффузионные каналы в сторону, противоположную освещаемой поверхности матрицы.

На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемой фотодиодной матрицы в двух проекциях; на фиг. 2 - схема крепления фоточувствительных элементов и выводов в я-слое.

Фотодиодная матрица состоит из пластины 1 (кристалл германия), в которой с помощью щетки из вольфрамовых игл вытравливаются конические отверстия. Диффузионный г-слой 2 на лицевой стороне пластины разрезан на квадраты (элементы), а тыльной стороной пластина / закреплена на молибденовом кристаллодержателе 3, представляющем собой рещетку с отверстиями диаметром 1,5 мм.

После приплавления пластины 1 на кристаллодержатель 5 к элементам (квадратам диффузионного tt-слоя) приплавляются выводы 4. Для этого в отверстия элементов вставляются отожженные в водороде никелевые проволочки (диаметром 0,15 мм) с предварительно надетыми на них навесками 5 сплава свинец-олово-сурьма в виде колец (диаметром 1 мм и толщиной 0,06 мм) и образец помещается в печь для

приплавления. Приплавление ведется в атмосфере водорода при температуре 490-500°. Выступающие над лицевой поверхностью концы проволочек обрезаются.

Корпус матрицы состоит из медного основания 6 и двух крышек 7 и 8. После приплавлепия кристаллодержателя с я-р-переходами к основанию 6 корпуса в гнезда основания вставляются крышки 7 и S и с помошью эпоксидной смолы 9 с кварцевым наполнителем и оловоиндиевого сплава 10 корпус герметизируется.

Предмет изобретения

Фотодиодная матрица с я-р-переходами, полученными диффузией сурьмы из паровой фазы в пластинку кристаллического германия р-типа, снабженная общим выводом от р-слоя, отличающаяся тем, что, с целью устранения затенения светочувствительных площадок фотодиодов, образующих матрицу, выводы от светочувствительных слоев фотодиодов пропущены через диффузионные каналы в сторону, противоположную освещаемой поверхности матрицы.