Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения - упрощение формирователя.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема формирователя тока катушек индуктивности для доменной памяти; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы.

Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти содержит блок коммутации питания в виде полумостовой схемы 1, выход которой подключен к одним выводам катушек 2 индуктивности возбуждения управляющего

магнитного поля в доменных микросборках 3, другие выводы катушек 2 подключены к коммутаторам 4 выбора катушки индуктивности, каждый из которых содержит четыре ключевых элемента в виде диодов 5 - 3, и ключевой элемент в виде транзистора 9, база которого является входом 10 управления формирователя тока.

Формирователь тока работает следующим образом.

На управляющие входы полумостовой схемы 1 постоянно подаются управляющие тактовые сигналы ЬЧрр, и Uunp4 (фиг. 2). До тех пор, пока ни один из транзисторов 4 выбора катушки не открыт, токи в катушках не протекают.

сл

со

При подаче на вход 10 управления коммутатором сигнала выбора U в катушке, подключенной к данному коммутатору, начинает протекать переменный ток В такте А открыт транзистор VT1 полумостовой схемы 1. Ток катушки I протекает через VT1, катушку 2, диод 5, транзистор 0 и диод 7. В такте В транзистор VT1 закрывается, а спадающий ток I протекает по диоду VD2 полумостовой схемы 1, катуике 2, диоду 5, транзистору S и диоду 7, В такте С открывается транзистор VT2. В такте D транзистор VT2 закрывается , а спадающий ток I индуктивности катушки 2 переключается с VT2 на VD1. Для остановки формирования треугольного тока необходимо в момент, когда ток I положительной полу волны спадает до нуля, снять с входа 10 сигнал выбора UK. Транзистор 9 закроется и ток в данной катушке 2 прекратится. Можно использовать и другие варианты полумостовой схемы 1 отличные от изображенной на фиг. 1. При этом полумостовая схема должна последовательно попеременно подключать вывод катушки 2 то к положительному, то к отрицательному источнику питания.

Таким образом, предлагаемый формирователь позволяет сократить до

5

5

0

двух число дорогих высокочастотных транзисторов для коммутации питающего напряжения.

Формула изобретения

Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти, содержащий блок коммутации питания в виде полумостовой схемы, выход которой подключен к одним выводам катушек индуктивности, отличающийся тем, что, с целью упрощения формирователя, он содержит коммутаторы выбора катушки индуктивности по числу катушек индуктивности, каждый коммутатор выбора катушки индуктивности содержит четыре ключевых элемента в виде диодов, включенных по мостовой

схеме, и ключевой элемент в виде транзистора, причем анод первого и катод второго диодов соединены с другим выводом соответствующей катушки индуктивности, катод третьего и анод четвертого диодов подключены к шине нулевого потенциала, аноды второго и третьего диодов соединены с эмиттером транзистора, катоды первого и четвертого диодов соединены с коллектором транзистора, а база транзистора является входом управления формирователя тока.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение формирователя. Формирователь тока катушек индуктивности для доменной памяти содержит блок коммутации питания в виде полумостовой схемы, выход которой подключен к одним выводам катушек индуктивности возбуждения управляющего магнитного поля в доменных микросборках, другие выводы катушек индуктивности подключены к коммутаторам выбора катушки индуктивности, каждый из которых содержит четрые ключевых элемента в виде диодов и ключевой элемент в виде транзистора, база которого является входом управления формирователя тока. Формирователь позволяет сократить до двух число дорогих высокочастотных транзисторов для коммутации питающего напряжения. 2 ил.

i

.

Фиг. 1

А В С J А В С

J

г/Ч

х /

Фиг.1

L

/ /V

Фиг.1