Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства Советский патент 1989 года по МПК G11C17/00 

Фиг.1

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).

Целью изобретения является повьше- ние коэффициента программирования ЗУ.

На фиг, 1 представлен разряд конструкции элемента памятиJ на фиг, 2 - его топология.

Элемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой, образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрический слой А с отверстием 5.

Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования (записи информации в ППЗУ). Электроды 3 служат для соединения перемычки 2 с другими элементами Накопителя (матрицы запоминающих элементов) и схем управления ППЗУ. Подложка 1 и слой 4 служат для крепления, защиты и исключения нежелательного химического взаимодействия компонентов элемента памяти с другими материалами ППЗУ и окружащей средой. Отверстие 5 в ди- электрическом слое 4 служит для улуч- рения условий перегорания перемычки 2 и может быть вытравлено в уже нанесенном защитном покрытии, либо покрытие может наноситься через соот- ветствующую маску.

В процессе программирования ППЗУ, когда необходимо пережечь перемычку 2 данного элемента памяти, на эту перемычку подают импульс тока, вызываю-

щий быстрый разогрев и расплавление перемычки 2. Благодаря наличию отверстия 5 к пережигаемому участку перемычки 2 поступает кислород воздуха, и в перемычке 2 образуется обрыв После программирования всех нужных элементов памяти поле накопителя ППЗ покрывают защитным веществом, например эпоксидным клеем, для исключения взаимодействия с окружающей средой элементов готового ППЗУ.

Пережигаемая перемычка 2 может быть выполнена из нихрома, проводящи электроды 3 - из алюминия, а под- ложка 1 и диэлектрический слой 4 - из двуокиси кремния. Диаметр отверстия 5 выбирают большим ширины перемычки 2.

Формула изобретения

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий диэлектрическую подложку, проводящий слой, расположенный на поверхности диэлектрической подложки, образующий плавкую перемычку, два проводящих электрода, расположенных на поверхности диэлектрической подложки с перекрытием противоположных краев проводящего слоя, диэлектрический слой, расположенный на поверхности проводящего слоя и проводящих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента программирования запоминающего устройства, в диэлектрическом слое выполнено отверстие над проводящим слоем.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ). Цель изобретения - повышение коэффициента программирования ППЗУ. Для этого в диэлектрическом слое 4 выполнено отверстие 5 над областью перегорания перемычки 2 при программировании ППЗУ. Доступ кислорода воздуха через отверстие 5 к пережигаемому участку перемычки 2 обеспечивает увеличение коэффициента программируемости ППЗУ. После программирования поле накопителя ППЗУ покрывают защитным веществом, например компаундом. 2 ил.

ЦIP