1
(21)4399582/24-24
(22)28.03.88
(46) 23.О.90. Бюл. № 3
(75) В,В.Рандошкин, В.Б.Сигачев
и В.И.Чани
(53)681.327.66(088.8)
(56)Неорганические материалы, т.22, № 9, 1986, с. 1530-1533.
ЖТФ, т. 54, вып. 7, 1984, с, 1381-1383.
(54)СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПОДРЕШЕТОК ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ДО- МЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИКАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ
(57)Изобретение относится к вычислительной технике и нижет быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения - упрощение способа. В соот- . ветствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитакси- альной доменосодержащей ферримагнит- ной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.
с SS
(Л
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки | 1988 |
|
SU1550584A1 |
Способ определения пригодности доменосодержащей пленки феррит-граната для магнитооптического управляемого транспаранта | 1988 |
|
SU1531161A1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА | 1996 |
|
RU2138069C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1993 |
|
RU2098856C1 |
Доменсодержащий магнитооптический монокристалл со структурой граната | 1988 |
|
SU1836502A3 |
ЯЧЕИСТАЯ СТРУКТУРА | 1991 |
|
RU2038626C1 |
МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЯ | 1993 |
|
RU2047170C1 |
Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки | 1987 |
|
SU1513515A1 |
Способ получения монокристаллических плёнок железо-иттриевого граната с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решётки плёнки и подложки | 2022 |
|
RU2791730C1 |
Способ определения знака рассогласования параметров решетки эпитаксиальной пленки и подложки | 1988 |
|
SU1793014A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения - упрощение способа. В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспа- рантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях.
Целью изобретения является упрощение способа.
В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом.
Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки,
и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.
Суть изобретения заключается в том, что обычно в запоминающих устройствах используются пленки, составы которых не обеспечивают компенса- цию намагниченностей подрешеток, т.е. намагниченность тетраэдрической под- решетки больше суммарной намагниченности октаэдрическойи додекаэдричес- кой подрешеток. В запоминающих устройствах на основе пленок феррит-гранатов с повышенным гиромагнитным отношением и,как следствие, повышенной скоростью доменных стенок наблюдается обратная ситуация.
сл
00 00
оо со
Экспериментально установлено, что скорости эпитаксиального наращивания пленок на вращающуюся подложку при полном ее погружении в раствор-расп лав с верхней и нижней сторон существенно различаются. Скорость роста с нижней стороны в 1,3-1,5 раза выше по сравнению с верхней стороной, что связано с более интенсивным подводом обогащенного раствора к поверхности роста. Увеличение скорости роста пхенки феррит-граната, как показывает опыт, всегда сопровождается уве- ричением коэффициента распределения Fe+
V n ...«,«..
I я -------------- 9
+ Gal
rj,e в квадратных скобках указаны концентрации компонентов Fe и Ga в твердей (т) (феррит-граната) и жидкой (ж) (раствор-расплав) фазах соответственно.
Таким образом, концентрация Fe на HiJDKHeu пленке всегда выше по сравне- mjno с верхней. Однако, в случае, ког- д$ намагниченность тетраэдрической гоЬдрешетки больше суммарной намагниченности октаэдрической и додекаэдри- чоской подрешеток, увеличение с нижней стороны означает и увеличение суммарной намагниченности феррит- граната, а следовательно, и уменыпе- периода доменной структуры, В об- ратной ситуации увеличение с нижней стороны приводит к уменьшению абсолютной величины суммарной намагниченности и увеличению периода до- манной структуры.
Таким образом, в случае, когда МТ€,тра- Мокта + Мд„лека, размер доме0
5
0
5
0
5
0
нов на нижней пленке больше по сравнению с размерами доменов верхней структуры и, наоборот, при
Мтетра- 4 мекта-+ МАОАеку т-е- сравнение измеренных периодов позволяет судить о состоянии материала.
Пример. Период доменной структуры Р0 (ширина полосового домена W Р(,/2) измеряли, помещая пленку в поляризационный оптический микроскоп типа МИН-8, Измерения проводили р геометрическом центре верхней и нижней эпитаксиальных пленок, полученных на одной подложке при полном ее погружении в раствор-расплав на глубину 0,5-1,5 мм. Соответствие пленок условию Мтвтро Мокта + МАоАека. проверяли по увеличению скорости движения доменных стекок на установке высокоскоростной фотографии.
Формула изобретения
Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной домено- содержащей ферримагнитной пленки, основанный на измерении магнитного параметра пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного юля в зпитаксиальных доменосодержа- щих ферримагнитных пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям Щирины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток зпитаксиальной доменосодер- жащей ферримагнитной пленки.
Авторы
Даты
1990-01-23—Публикация
1988-03-28—Подача