Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

Описание патента на изобретение SU1538189A1

1

(21)4399582/24-24

(22)28.03.88

(46) 23.О.90. Бюл. № 3

(75) В,В.Рандошкин, В.Б.Сигачев

и В.И.Чани

(53)681.327.66(088.8)

(56)Неорганические материалы, т.22, № 9, 1986, с. 1530-1533.

ЖТФ, т. 54, вып. 7, 1984, с, 1381-1383.

(54)СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПОДРЕШЕТОК ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ДО- МЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИКАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ

(57)Изобретение относится к вычислительной технике и нижет быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения - упрощение способа. В соот- . ветствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитакси- альной доменосодержащей ферримагнит- ной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

с SS

Похожие патенты SU1538189A1

название год авторы номер документа
Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки 1988
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Чани Валерий Иванович
SU1550584A1
Способ определения пригодности доменосодержащей пленки феррит-граната для магнитооптического управляемого транспаранта 1988
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Чани Валерий Иванович
SU1531161A1
МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1996
  • Ильяшенко Е.И.
  • Клин В.П.
  • Соловьев А.Г.
RU2138069C1
МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ 1993
  • Рандошкин В.В.
RU2098856C1
Доменсодержащий магнитооптический монокристалл со структурой граната 1988
  • Рандошкин Владимир Васильевич
SU1836502A3
ЯЧЕИСТАЯ СТРУКТУРА 1991
  • Айрапетов А.А.
  • Рандошкин В.В.
  • Червоненкис А.Я.
RU2038626C1
МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЯ 1993
  • Рандошкин В.В.
  • Логунов М.В.
RU2047170C1
Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки 1987
  • Рандошкин Владимир Васильевич
SU1513515A1
Способ получения монокристаллических плёнок железо-иттриевого граната с нулевым рассогласованием параметров кристаллической решётки плёнки и подложки 2022
  • Шумилов Алексей Гениевич
  • Федоренко Андрей Александрович
  • Недвига Александр Степанович
  • Семук Евгений Юрьевич
  • Наухацкий Игорь Анатольевич
  • Бержанский Владимир Наумович
  • Шапошников Александр Николаевич
  • Томилин Сергей Владимирович
RU2791730C1
Способ определения знака рассогласования параметров решетки эпитаксиальной пленки и подложки 1988
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Чани Валерий Иванович
SU1793014A1

Реферат патента 1990 года Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения - упрощение способа. В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

Формула изобретения SU 1 538 189 A1

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспа- рантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях.

Целью изобретения является упрощение способа.

В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом.

Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки,

и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

Суть изобретения заключается в том, что обычно в запоминающих устройствах используются пленки, составы которых не обеспечивают компенса- цию намагниченностей подрешеток, т.е. намагниченность тетраэдрической под- решетки больше суммарной намагниченности октаэдрическойи додекаэдричес- кой подрешеток. В запоминающих устройствах на основе пленок феррит-гранатов с повышенным гиромагнитным отношением и,как следствие, повышенной скоростью доменных стенок наблюдается обратная ситуация.

сл

00 00

оо со

Экспериментально установлено, что скорости эпитаксиального наращивания пленок на вращающуюся подложку при полном ее погружении в раствор-расп лав с верхней и нижней сторон существенно различаются. Скорость роста с нижней стороны в 1,3-1,5 раза выше по сравнению с верхней стороной, что связано с более интенсивным подводом обогащенного раствора к поверхности роста. Увеличение скорости роста пхенки феррит-граната, как показывает опыт, всегда сопровождается уве- ричением коэффициента распределения Fe+

V n ...«,«..

I я -------------- 9

+ Gal

rj,e в квадратных скобках указаны концентрации компонентов Fe и Ga в твердей (т) (феррит-граната) и жидкой (ж) (раствор-расплав) фазах соответственно.

Таким образом, концентрация Fe на HiJDKHeu пленке всегда выше по сравне- mjno с верхней. Однако, в случае, ког- д$ намагниченность тетраэдрической гоЬдрешетки больше суммарной намагниченности октаэдрической и додекаэдри- чоской подрешеток, увеличение с нижней стороны означает и увеличение суммарной намагниченности феррит- граната, а следовательно, и уменыпе- периода доменной структуры, В об- ратной ситуации увеличение с нижней стороны приводит к уменьшению абсолютной величины суммарной намагниченности и увеличению периода до- манной структуры.

Таким образом, в случае, когда МТ€,тра- Мокта + Мд„лека, размер доме0

5

0

5

0

5

0

нов на нижней пленке больше по сравнению с размерами доменов верхней структуры и, наоборот, при

Мтетра- 4 мекта-+ МАОАеку т-е- сравнение измеренных периодов позволяет судить о состоянии материала.

Пример. Период доменной структуры Р0 (ширина полосового домена W Р(,/2) измеряли, помещая пленку в поляризационный оптический микроскоп типа МИН-8, Измерения проводили р геометрическом центре верхней и нижней эпитаксиальных пленок, полученных на одной подложке при полном ее погружении в раствор-расплав на глубину 0,5-1,5 мм. Соответствие пленок условию Мтвтро Мокта + МАоАека. проверяли по увеличению скорости движения доменных стекок на установке высокоскоростной фотографии.

Формула изобретения

Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной домено- содержащей ферримагнитной пленки, основанный на измерении магнитного параметра пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного юля в зпитаксиальных доменосодержа- щих ферримагнитных пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям Щирины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток зпитаксиальной доменосодер- жащей ферримагнитной пленки.

SU 1 538 189 A1

Авторы

Рандошкин Владимир Васильевич

Сигачев Валерий Борисович

Чани Валерий Иванович

Даты

1990-01-23Публикация

1988-03-28Подача