Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

(Л

с

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспортеров. Целью изобретения является упрощение способа. Для определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и вблизи краев пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток пленки. Измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии 20 - 500 мкм от краев пленки. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов.

Целью изобретения является упрощение способа.

Согласно предлагаемому способу определение намагниченности подреше- ток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки определяют следующим образом: измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и в-близи краев пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки. Измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии от 20-500 мкм от края пленки.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Обычно в запоминающих устройствах (ЗУ) используются пленки, составы которых не обеспечивают компенсацию намагниченности подрешеток, т.е. намагниченность тетраэдрической подрешетки больше суммарной намагниченности октаэдри- ческой и додекаэдрической подрешеток. В ЗУ на основе пленок феррит-гранатов с повышенным гидромагнитным отношением и, как следствие, повышенной скоростью доменных стенок наблюдается обратная ситуация. Экспериментально установлено, что на краю эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиально- го наращивания пленки на таком участке за счет 5i.rree интенсивного пересп сп

СП

00

мешивания раствора-расплава на.периферии подложки, которая при эпитак- сия приводится во вращение со скоро- ст|ью 100-200 об/мин. Увеличение ско- роЬти роста пленки феррит-граната всегда сопровождается увеличением коэффициента распределения

г - (fre т + ) HteT Ре|ж7() где в квадратных скобках указаны концентрации компонетов Fe и Ga в твердой (т) - феррит-гранат и жидкой (ж) - раствор-расплав фазах соответственно..-. .

I Таким образом, концентрация Fe на) периферии пленки всегдг. по сравнению с центральной областью. Орнако в случае, когда намагничение сть тетра-подрешетки больше суммар ней намагниченности октаэдрической и додекаэдрической подрешеток, увеличение Fe т по периферии означает)1 и увеличение суммарной намагниченности феррит-граната, а следователь- но, и уменьшение периода доменной структуры. В обратной ситуации увеличение Fej T на периферии приводит к уменьшению величины суммарной намагниченности и увеличению периода доменной структуры.

Таким образом, в случае, когда ,сМ°ктс. + Мдодека , Размер доменов на периферии больше по сравнению с размерами доменов в центре пЛенки и наоборот при MreipC(MOKTa

+ М

додеко

т.е. сравнение измерен0

5

0 5 0

ных периодов позволяет судить о состоянии материала.

Пример. Период доменной структуры PQ (ширина полосового домена) измеряли, помещая пленку в поляризационный оптический микроскоп типа МИК-8. Измерения проводили на расстоянии 20-500 мкм от края пленки. Соответствие пленок условию мтетря моктс, + Мдодека проверяли по увеличению скорости движения доменных стенок на установке высокоскоростной фотографии.

Формула изобретения

2.Способ по п. отличающийся тем, что измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии 20 - 500 мкм от края эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки.