Способ лужения выводов радиоэлементов Советский патент 1990 года по МПК B23K1/08 

Изобретение относится к области пайки, а точнее к технологии погружения выводов радиоэлементов, и может быть использовано при производстве радиоэлектронной аппаратуры.

Цель изобретения - повышение качества лужения за счет предотвращения образования остатков флюса и снижение трудоемкости способа.

Способ осуществляют следующим образом.

На конец вывода радиоэлемента перед погружением наносят флюс, содержащий глицерин и активную составляющую, и производят погружение вывода в расплавленный припой со скоростью 5,3-25,0 мм/с при температуре на 10-110PC выше температуры кипения глицерина.

Проведенные эксперименты показали (табл. 1 и 2), что при скоростях

погружения менее 5,3 мм/с и более 25,0 мм/с, а также при температурах менее чем на 1 О С и более чем на 110°С выше температуры кипения глицерина (290°С) не удается достичь удовлетворительного качества лужения.

Пример. Для лужения выводов резисторов С2-29В-025Вт и С2-29В- -0,125 Вт используют три состава флюса:

СП

ел

СП

ь

Состав

Компоненты, %

Глицерин Хлористый аммоний

Вода дистиллированная

Глицерин Диэтиланин солянокислый

90 2

Остальное80

Остальное70

Вода дистиллированная

3 Глицерин

Гидразин солянокислый5Вода дистиллированнаяОстальное

При использовании всех трех флюсов учены идентичные результаты.

В табл. 1 представлены результалужения выводов резисторов С2- В-025 Вт,

Таблица 1

+

+

+ +

+

+ + + +

+ +

Конец вывода резисторов С2-29В- -0,25 Вт погружают во флюс на 5-10% общей длины вывода, т«е флюс наносят в виде капли. Затем вывод погружают в расплавленный припой ПОС-61 с равномерной скоростью. Основные режимы лужения - температура флюса и время погружения приведены в табл. 1. При погружении вывода с каплей флюса на его конце в расплавленный припой, имеющий температуру выше температуры кипения глицерина, происходит частичное испарение глицерина в зоне соприкосновения его с припоем, в этом месте происходит одновременно процесс удаления окисных пленок на поверхности вывода в результате действия активной составляющей флюса и облукивание этой зоньи Так как процесс погружения вывода осуществляется с постоянной скоростью,

0

5

0

5

0

5

0

5

0

5

оставшаяся часть глицерина с активной составляющей вытесняется припоем и поднимается вверх . в сторону, противоположную направлению погружения вывода Таким образом обеспечивается качественное смачивание флюсом новых участков поверхности вывода и их облуживание до тех пор, пока не произойдет полное испарение глицерина Скорость погружения при заданной темп ературе припоя и конструкции вывода выбирается таким же образом, чтобы последнее количество глицерина испарилось только при полном погружении вьюода в расплавленный припой.

Как видно из табл 1 с увеличением температуры припоя необходимо увеличивать скорость погружения в расплавленный припой, иначе в результате интенсивного испарения глицерина об- луживается только часть вывода, т.е. необходимо поддерживать такой режим лужения, чтобы при заданной температуре процесс испарения глицерина и одновременно с этим процесс активации обрабатываемой поверхности и облуживание ее припоем протекали в течение всего времени погружения вывода в припой и заканчивались после полного погружения всей поверхности вьюода. Таким образом обеспечивается качественное лужение выводов, малый расход флюса, отсутствие флюса на поверхности вывода и телерезистора после окончания процесса лужения Это позволяет исключить последующую промывку резисторов для удаления остатков флюса. Высокое качество облуживания потемневших при длительном хранении на воздухе выводов свидетельствует о необходимости исключения операции предварительной химической очистки выводов При температуре 420 С из-за необходимости быстрого погружен вывода в припой (1 с) качественное облуживание удается получить только на чистых выводах, не подвергавшихся длительному хранению

Наиболее предпочтительной при лужении выводов резисторов С2-29В- -0,25 Вт является температура 350- 400 С„ В этом случае обеспечивается необходимое высокое качество облуживания одновременно с высокой скоростью проведения процесса При нанесении флюса на большую поверхность вы51

вода, составляющую 15-20% общей длины вьюода, часть флюса попадает на тело резистора - торцовую его часть, что не позволяет исключить операции отмывки резисторов от остатков флюса.

При погружении вывода резистора длиной 5% общей длины не обеспечивается качественное лужение всей поверхности, так как не хватает количества флюса для обработки всей длины вывода, при этом верхняя часть вывода остается необлуженной0

В табло 2 приведены результаты лужения выводов резисторов С2-29В- -0,125 Вт„

Таблица 2

550746

погружения вьюода и максимально допустимая температура припоя ниже, чем это было для резистора 0,25 Бт„ Это связано с меньшими диаметром и длиной вывода, в результате чего он быстрее разогревается при лужении и раньше начинается процесс испарения глицерина

ЮИспользование предлагаемого способа в серийном производстве, тонко- пленочных цилиндрических резисторов позволяет существенно повысить качество лужения при снижении трудоем15 кости за счет исключения операции предварительной химической очистки выводов резисторов перед обработкой их флюсом и исключении операции отмывки выводов от остатков флюса пос2Q ле окончания процесса лужения. Кроме того, проведение лужения выводов по предлагаемому способу значительно

Изобретение относится к пайке, а точнее к технологии лужения погружением выводов радиоэлементов, и может быть использовано при производстве радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретения - повышение качества лужения за счет предотвращения образования остатков флюса. На конец вывода радиоэлемента наносят флюс, содержащий глицерин и активную составляющую, и производят погружение его в расплавленный припой со скоростью 5,3-25 мм/с при температуре на 10-110°С выше температуры кипения глицерина. Лимитирование скорости погружения и температуры лужения определяется условием испарения глицерина в момент окончания погружения вывода в припой. 2 табл.

Как видно из полученных результатов, для резисторов 0,125 Вт время

уменьшает загрязнение припоя и расход флюса.

5

0

Формула изобретения

Способ лужения выводов радиоэлементов, включающий обработку поверхности вывода флюсом, содержащим гли-1 церин и активную составляющую, дающую корррзионно-активные остатки, и последующее погружение выводов в расплавленный припой, отличающийся тем, что, с целью повышения качества лужения за счет предотвращения образования остатков флюса, вывод с нанесением на его конец флюсом погружают в ванну с расплавленным припоем со скоростью 5,3- 25,0 мм/с при температуре на 10- 110 С выше температуры кипения гли- це рина о

5